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K6T1008V2C-TB70产品参数
型号:K6T1008V2C-TB70
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.58
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
宽度:8 mm
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