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  • 深圳现货库存,保证原装正品
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产品型号K6T4008V1C-YF70的概述

芯片K6T4008V1C-YF70的概述 K6T4008V1C-YF70是一款由韩国三星电子(Samsung Electronics)公司研发和生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)系列,其主要应用于各种电子设备中,特别是在计算机和嵌入式系统中,提供高效的内存解决方案。K6T4008V1C-YF70以其高存储容量和较快的存取速度,广泛用于需要高速数据处理的场景,比如图形处理、游戏应用和服务器等。 芯片K6T4008V1C-YF70的详细参数 K6T4008V1C-YF70是一种4M x 8位DRAM存储器,其基本参数如下: - 容量:4Mb(Megabit) - 数据总线宽度:8位 - 工作电压:3.3V - 存储器类型:SDRAM - 数据速率:通常为66MHz至133MHz,可根据系统配置进行调整 - 存取时间:大约在60ns至8...

产品型号K6T4008V1C-YF70的Datasheet PDF文件预览

K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
0.1  
Initial Draft  
January 13, 1998  
June 12, 1998  
Advance  
Revisied  
Preliminary  
- Speed bin change  
KM68U4000C : 85/100ns ® 70/85/100ns  
- DC Characteristics change  
ICC : 5mA at read/write ® 4mA at read  
ICC1 : 3mA ® 4mA  
ICC2 : 35mA ® 30mA  
ISB : 0.5mA ® 0.3mA  
ISB1 : 10mA ® 15mA for commercial parts  
- Add 32-TSOP1-0820  
0.11  
1.0  
Errata correct  
- 32-TSOP1-0813 products: T ® TG  
November 7, 1998  
January 15, 1999  
Finalize  
Final  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
512K´ 8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Process Technology: TFT  
The K6T4008V1C and K6T4008U1C families are fabricated by  
SAMSUNG¢s advanced CMOS process technology. The fami-  
lies support various operating temperature range and have var-  
ious package type for user flexibility of system design. The  
families also support low data retention voltage for battery  
back-up operation with low data retention current.  
· Organization: 512K´ 8  
· Power Supply Voltage  
K6T4008V1C Family: 3.0~3.6V  
K6T4008U1C Family: 2.7~3.3V  
· Low Data Retention Voltage: 2V(Min)  
· Three state output and TTL Compatible  
· Package Type: 32-SOP-525, 32-TSOP2-400F/R  
32-TSOP1-0820F, 32-TSOP1-0813.4F  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
Product Family  
Operating Temperature Vcc Range  
Speed  
PKG Type  
Standby  
(ISB1, Max)  
Operating  
(ICC2, Max)  
701)/85ns  
701)/85/100ns  
701)/85ns  
K6T4008V1C-B  
K6T4008U1C-B  
K6T4008V1C-F  
K6T4008U1C-F  
3.0~3.6V  
32-SOP  
Commercial(0~70°C)  
15mA  
20mA  
2.7~3.3V  
32-TSOP2-F/R  
32-TSOP1-F  
32-sTSOP1-F  
30mA  
3.0~3.6V  
Industrial(-40~85°C)  
701)/85/100ns  
2.7~3.3V  
1. The paramerter is measured with 30pF test load.  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
VCC  
A15  
A17  
WE  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
32  
31  
30  
29  
1
2
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
2
3
3
4
4
A0  
A1  
A4  
5
A13 28  
5
A6  
6
A8  
A9  
27  
26  
6
A6  
A5  
7
A9  
7
A5  
32-TSOP2  
(Reverse)  
32-SOP  
32-TSOP2  
(Forward)  
A11  
OE  
A11 25  
A5  
A6  
A4  
8
8
A4  
Memory array  
1024 rows  
512´ 8 columns  
Row  
select  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A3  
9
OE  
A10  
CS  
9
A3  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A2  
A7  
A1  
A1  
A12  
A14  
A16  
A0  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
A18  
I/O1  
I/O8  
Data  
cont  
I/O Circuit  
A11  
A9  
A8  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32  
OE  
A10  
CS  
Column select  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A13  
WE  
A17  
A15  
VCC  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
Data  
cont  
32-TSOP1  
32-STSOP1  
(Forward)  
10  
A2 A3 A8 A9 A10 A11 A13 A15 A17  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A5  
A4  
A1  
A2  
A3  
CS  
Control  
logic  
WE  
OE  
Name Function  
Name Function  
A0~A18 Address Inputs  
Vcc  
Vss  
Power  
WE  
CS  
OE  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Ground  
I/O1~I/O8 Data Inputs/Outputs  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.  
2
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
PRODUCT LIST  
Commercial Temp Products(0~70°C)  
Industrial Temp Products(-40~85°C)  
Part Name  
Function  
Part Name  
Function  
K6T4008V1C-GB70  
K6T4008V1C-GB85  
K6T4008V1C-VB70  
K6T4008V1C-VB85  
K6T4008V1C-MB70  
K6T4008V1C-MB85  
K6T4008V1C-TB70  
K6T4008V1C-TB85  
K6T4008V1C-YB70  
K6T4008V1C-YB85  
32-SOP, 70ns, 3.3V, LL  
K6T4008V1C-GF70  
K6T4008V1C-GF85  
K6T4008V1C-VF70  
K6T4008V1C-VF85  
K6T4008V1C-MF70  
K6T4008V1C-MF85  
K6T4008V1C-TF70  
K6T4008V1C-TF85  
K6T4008V1C-YF70  
K6T4008V1C-YF85  
32-SOP, 70ns, 3.3V, LL  
32-SOP, 85ns, 3.3V, LL  
32-SOP, 85ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-F, 70ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-F, 85ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-R, 70ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-R, 85ns, 3.3V, LL  
32-TSOP1-F, 70ns, 3.3V, LL  
32-TSOP1-F, 85ns, 3.3V, LL  
32-sTSOP1-F, 70ns, 3.3V, LL  
32-sTSOP1-F, 85ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-F, 70ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-F, 85ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-R, 70ns, 3.3V, LL  
32-TSOP2-R, 85ns, 3.3V, LL  
32-TSOP1-F, 70ns, 3.3V, LL  
32-TSOP1-F, 85ns, 3.3V, LL  
32-sTSOP1-F, 70ns, 3.3V, LL  
32-sTSOP1-F, 85ns, 3.3V, LL  
K6T4008U1C-GB70  
K6T4008U1C-GB85  
K6T4008U1C-GB10  
K6T4008U1C-VB70  
K6T4008U1C-VB85  
K6T4008U1C-VB10  
K6T4008U1C-MB70  
K6T4008U1C-MB85  
K6T4008U1C-MB10  
K6T4008U1C-TB70  
K6T4008U1C-TB85  
K6T4008U1C-TB10  
K6T4008U1C-YB70  
K6T4008U1C-YB85  
K6T4008U1C-YB10  
32-SOP, 70ns, 3.0V, LL  
K6T4008U1C-GF70  
K6T4008U1C-GF85  
K6T4008U1C-GF10  
K6T4008U1C-VF70  
K6T4008U1C-VF85  
K6T4008U1C-VF10  
K6T4008U1C-MF70  
K6T4008U1C-MF85  
K6T4008U1C-MF10  
K6T4008U1C-TF70  
K6T4008U1C-TF85  
K6T4008U1C-TF10  
K6T4008U1C-YF70  
K6T4008U1C-YF85  
K6T4008U1C-YF10  
32-SOP, 70ns, 3.0V, LL  
32-SOP, 85ns, 3.0V, LL  
32-SOP, 85ns, 3.0V, LL  
32-SOP, 100ns, 3.0V, LL  
32-SOP, 100ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-F, 70ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-F, 85ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-F, 100ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-R, 70ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-R, 85ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-R, 100ns, 3.0V, LL  
32-TSOP1-F, 70ns, 3.0V, LL  
32-TSOP1-F, 85ns, 3.0V, LL  
32-TSOP1-F, 100ns, 3.0V, LL  
32-sTSOP1-F, 70ns, 3.0V, LL  
32-sTSOP1-F, 85ns, 3.0V, LL  
32-sTSOP1-F, 100ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-F, 70ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-F, 85ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-F, 100ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-R, 70ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-R, 85ns, 3.0V, LL  
32-TSOP2-R, 100ns, 3.0V, LL  
32-TSOP1-F, 70ns, 3.0V, LL  
32-TSOP1-F, 85ns, 3.0V, LL  
32-TSOP1-F, 100ns, 3.0V, LL  
32-sTSOP1-F, 70ns, 3.0V, LL  
32-sTSOP1-F, 85ns, 3.0V, LL  
32-sTSOP1-F, 100ns, 3.0V, LL  
FUNCTIONAL DESCRIPTION  
CS  
H
L
OE  
WE  
I/O  
High-Z  
High-Z  
Dout  
Mode  
Power  
Standby  
Active  
X1)  
H
X1)  
H
Deselected  
Output Disabled  
Read  
L
L
H
L
Active  
X1)  
L
Din  
Write  
Active  
1. X means don¢t care (Must be in low or high state)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1)  
Item  
Symbol  
VIN,VOUT  
VCC  
Ratings  
Unit  
V
Remark  
Voltage on any pin relative to Vss  
Voltage on Vcc supply relative to Vss  
Power Dissipation  
-0.5 to VCC+0.5  
-0.3 to 4.6  
1.0  
-
V
-
PD  
W
-
Storage temperature  
TSTG  
-65 to 150  
0 to 70  
°C  
°C  
°C  
-
K6T4008V1C-L, K6T4008U1C-L  
K6T4008V1C-P, K6T4008U1C-P  
Operating Temperature  
TA  
-40 to 85  
1. Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. Functional operation should be  
restricted to recommended operating condition. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
3
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)  
Item  
Symbol  
Product  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
K6T4008V1C Family  
K6T4008U1C Family  
3.0  
2.7  
3.3  
3.0  
3.6  
3.3  
Supply voltage  
Vcc  
V
Ground  
Vss  
VIH  
VIL  
All Family  
0
0
-
0
V
V
V
Vcc+0.32)  
0.6  
Input high voltage  
Input low voltage  
Note:  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
2.2  
-0.33)  
-
1. Commercial Product : TA=0 to 70°C, otherwise specified  
Industrial Product : TA=-40 to 85°C, otherwise specified  
2. Overshoot : VCC+2.0V in case of pulse width £ 30ns  
3. Undershoot : -2.0V in case of pulse width £ 30ns  
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.  
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)  
Item  
Input capacitance  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN=0V  
Min  
Max  
Unit  
-
-
8
pF  
pF  
Input/Output capacitance  
CIO  
VIO=0V  
10  
1. Capacitance is sampled, not 100% tested  
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
ILI  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Input leakage current  
Output leakage current  
Operating power supply current  
VIN=Vss to Vcc  
-1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
ILO  
CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL VIO=Vss to Vcc  
IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIL or VIH, Read  
-1  
ICC  
-
4
Cycle time=1ms, 100% duty, IIO=0mA CS£0.2V,VIN£0.2V or VIN³ Vcc-0.2V  
Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIH or VIL  
IOL=2.1mA  
ICC1  
ICC2  
VOL  
VOH  
ISB  
-
4
Average operating current  
-
30  
0.4  
-
Output low voltage  
Output high voltage  
Standby Current(TTL)  
-
2.2  
-
IOH=-1.0mA  
V
CS=VIH, Other inputs = VIL or VIH  
CS³ Vcc-0.2V, Other inputs=0~Vcc  
0.3 mA  
mA  
151)  
Standby Current (CMOS)  
ISB1  
-
1. Industrial product = 20mA  
4
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
AC OPERATING CONDITIONS  
TEST CONDITIONS(Test Load and Input/Output Reference)  
Input pulse level: 0.4 to 2.2V  
Input rising and falling time: 5ns  
1)  
CL  
Input and output reference voltage:1.5V  
Output load(see right): CL=100pF+1TTL  
1)  
CL =30pF+1TTL  
1. Including scope and jig capacitance  
1. 70ns product  
AC CHARACTERISTICS (K6T4008V1C Family: Vcc=3.0~3.6V, K6T4008U1C Family: Vcc=2.7~3.3V  
Commercial product:: TA=0 to 70°C, Industrial product: TA=-40 to 85°C)  
Speed Bins  
Parameter List  
Symbol  
Units  
70ns  
Max  
85ns  
Max  
100ns  
Min  
70  
-
Min  
85  
-
Min  
Max  
Read cycle time  
tRC  
tAA  
-
70  
70  
35  
-
-
85  
85  
40  
-
100  
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
100  
Chip select to output  
tCO  
tOE  
-
-
-
100  
Output enable to valid output  
Chip select to low-Z output  
Output enable to low-Z output  
Chip disable to high-Z output  
Output disable to high-Z output  
Output hold from address change  
Write cycle time  
-
-
-
50  
-
Read  
tLZ  
10  
5
10  
5
10  
5
tOLZ  
tHZ  
-
-
-
0
25  
25  
-
0
25  
25  
-
0
30  
30  
-
tOHZ  
tOH  
tWC  
tCW  
tAS  
0
0
0
10  
70  
60  
0
10  
85  
70  
0
15  
100  
80  
0
-
-
-
Chip select to end of write  
Address set-up time  
-
-
-
-
-
-
Address valid to end of write  
Write pulse width  
tAW  
tWP  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
60  
55  
0
-
70  
55  
0
-
80  
70  
0
-
-
-
-
Write  
Write recovery time  
-
-
-
Write to output high-Z  
0
25  
-
0
25  
-
0
30  
-
Data to write time overlap  
Data hold from write time  
End write to output low-Z  
30  
0
35  
0
40  
0
-
-
-
tOW  
5
-
5
-
5
-
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
Test Condition  
CS³ Vcc-0.2V  
Vcc=3.0V, CS³ Vcc-0.2V  
Min  
2.0  
-
Typ  
Max  
Unit  
V
Vcc for data retention  
Data retention current  
Data retention set-up time  
VDR  
-
0.5  
-
3.6  
151)  
-
IDR  
mA  
tSDR  
0
See data retention waveform  
ms  
Recovery time  
tRDR  
5
-
-
1. Industrial product = 20mA  
5
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
TIMMING DIAGRAMS  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(1) (Address Controlled, CS=OE=VIL, WE=VIH)  
tRC  
Address  
tAA  
tOH  
Data Valid  
Data Out  
Previous Data Valid  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(2) (WE=VIH)  
tRC  
Address  
tOH  
tAA  
tCO1  
CS  
tHZ  
tOE  
OE  
tOLZ  
tLZ  
tOHZ  
High-Z  
Data out  
Data Valid  
NOTES (READ CYCLE)  
1. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output voltage  
levels.  
2. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from device to device  
interconnection.  
6
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)  
tWC  
Address  
tCW(2)  
tWR(4)  
CS  
tAW  
tWP(1)  
WE  
tAS(3)  
tDW  
tDH  
Data Valid  
Data in  
tWHZ  
tOW  
Data Undefined  
Data out  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS Controlled)  
tWC  
Address  
tCW(2)  
tAS(3)  
tWR(4)  
CS  
tAW  
tWP(1)  
WE  
tDW  
tDH  
Data in  
Data Valid  
High-Z  
Data out  
High-Z  
NOTES (WRITE CYCLE)  
1. A write occurs during the overlap of a low CS and a low WE. A write begins at the latest transition among CS going Low and WE  
going low : A write end at the earliest transition among CS going high and WE going high, tWP is measured from the begining of write  
to the end of write.  
2. tCW is measured from the CS going low to end of write.  
3. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.  
4. tWR is measured from the end of write to the address change. tWR applied in case a write ends as CS or WE going high.  
DATA RETENTION WAVE FORM  
CS controlled  
Data Retention Mode  
tSDR  
tRDR  
VCC  
3.0/2.7V  
2.2V  
VDR  
CS³ VCC - 0.2V  
CS  
GND  
7
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
CMOS SRAM  
PACKAGE DIMENSIONS  
Units: millimeters(inches)  
32 PIN PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)  
0~8°  
#32  
#17  
11.43±0.20  
0.450±0.008  
14.12±0.30  
0.556±0.012  
0.80±0.20  
0.031±0.008  
+0.10  
-0.05  
#1  
#16  
0.20  
2.74±0.20  
0.108±0.008  
20.87  
0.822  
+0.004  
0.008  
MAX  
-0.002  
3.00  
MAX  
0.118  
20.47±0.20  
0.806±0.008  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
+0.100  
-0.050  
0.41  
1.27  
0.050  
0.71  
0.028  
+0.004  
-0.002  
0.05  
0.002  
(
)
0.016  
MIN  
8
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
PACKAGE DIMENSIONS  
CMOS SRAM  
Units: millimeters(inches)  
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)  
+0.10  
-0.05  
+0.004  
20.00±0.20  
0.787±0.008  
0.20  
0.008  
-0.002  
#1  
#32  
0.25  
0.010  
(
)
8.40  
0.331  
MAX  
0.50  
0.0197  
#17  
#16  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
0.05  
0.002  
MIN  
1.20  
MAX  
0.047  
18.40±0.10  
0.724±0.004  
0.25  
0.010  
TYP  
+0.10  
-0.05  
0.15  
+0.004  
0.006  
-0.002  
0~8°  
0.50  
0.020  
0.45 ~0.75  
0.018 ~0.030  
(
)
32 PIN SMALLER THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0813.4F)  
+0.10  
-0.05  
+0.004  
0.20  
13.40±0.10  
0.528±0.008  
0.008  
-0.002  
#1  
#32  
0.25  
0.010  
(
)
8.40  
0.331  
MAX  
0.50  
0.0197  
#16  
#17  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
0.05  
0.002  
MIN  
1.20  
MAX  
0.047  
0.25  
0.010  
TYP  
11.80±0.10  
0.465±0.004  
+0.10  
-0.05  
0.15  
0.006+0.004  
-0.002  
0~8°  
0.50  
0.020  
0.45 ~0.75  
0.018 ~0.030  
(
)
9
Revision 1.0  
January 1999  
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family  
PACKAGE DIMENSIONS  
CMOS SRAM  
Units: millimeters(inches)  
0~8°  
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400F)  
0.25  
0.010  
(
)
#32  
#17  
0.45~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76±0.20  
0.463±0.008  
#1  
#16  
0.50  
0.020  
(
)
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
MAX  
0.006  
1.20  
0.047  
20.95±0.10  
0.825±0.004  
MAX  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
0.05  
0.002  
MIN  
1.27  
0.050  
0.95  
0.037  
0.40±0.10  
0.016±0.004  
(
)
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400R)  
0~8°  
0.25  
0.010  
(
)
#1  
#16  
0.45 ~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76±0.20  
0.463±0.008  
#32  
#17  
0.50  
0.020  
(
)
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
MAX  
0.006  
1.20  
0.047  
20.95±0.10  
0.825±0.004  
MAX  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
1.27  
0.050  
0.05  
0.002  
0.40±0.10  
0.016±0.004  
0.95  
0.037  
MIN  
(
)
10  
Revision 1.0  
January 1999  
配单直通车
K6T4008V1C-YF70产品参数
型号:K6T4008V1C-YF70
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.78
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
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