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配单直通车
K6T8016C3M-RB55产品参数
型号:K6T8016C3M-RB55
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R, TSOP44,.46,32
针数:44
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm
内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:44
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R
封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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