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K6X1008C2D-DF55产品参数
型号:K6X1008C2D-DF55
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.38
Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:41.91 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1
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