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  • K6X1008C2D-TF70图
  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • K6X1008C2D-TF70
  • 数量889 
  • 厂家SAMSUNG/三星 
  • 封装TSOP 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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产品型号K6X1008C2D-TF70的概述

芯片K6X1008C2D-TF70的概述 K6X1008C2D-TF70是一款由现代微电子(Modern Micro Devices,简称MMD)公司生产的动态随机存取存储器(DRAM)。该芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,广泛应用于电子产品中,尤其是电脑、手机和各种数字设备。K6X1008C2D-TF70芯片采用32位数据宽度接口,每个芯片可提供1M×8位的存储容量。同时,该芯片还具备较高的工作频率和低功耗特点,这使得它在消费电子和工业控制等多个领域得到了广泛关注。 K6X1008C2D-TF70芯片的封装形式为TSOP II(薄小外形封装),具有良好的散热性能和电气特性,使得其在高密度布局中依然能够保持优良的性能。该芯片工作电压为3.3V,并具备多种功能,包括银行选择、写入/读取模式等,能够方便地与其他集成电路进行配合使用。 芯片K6X1008C2D-TF70的详细...

产品型号K6X1008C2D-TF70的Datasheet PDF文件预览

K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
Initial draft  
July 15, 2002  
Preliminary  
0.1  
Revised  
December 4, 2002  
Preliminary  
- Deleted 32-TSOP1-0820R Package Type.  
- Added Commercial product.  
0.2  
0.3  
1.0  
Revised  
May 13, 2003  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
- Added Lead Free 32-SOP-525 Product  
Revised  
June 21, 2003  
- Added Lead Free 32-TSOP1-0820F Product  
Finalized  
September 16, 2003  
- Changed ICC from 10mA to 5mA  
- Changed ICC2 from 35mA to 25mA  
- Changed ISB from 3mA to 0.4mA  
- Changed IDR(industrial) from 15mA to 10mA  
- Changed IDR(Automotive) from 25mA to 20mA  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
128Kx8 bit Low Power full CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Process Technology: Full CMOS  
· Organization: 128K x 8  
The K6X1008C2D families are fabricated by SAMSUNG¢s  
advanced CMOS process technology. The families support  
verious operating temperature ranges and have various pack-  
age types for user flexibility of system design. The families  
also support low data retention voltage for battery back-up  
operation with low data retention current.  
· Power Supply Voltage: 4.5~5.5V  
· Low Data Retention Voltage: 2V(Min)  
· Three state output and TTL Compatible  
· Package Type: 32-DIP-600, 32-SOP-525,  
32-SOP-525, 32-TSOP1-0820F  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
PKG Type  
Operating  
Temperature  
Product Family  
Vcc Range  
Speed  
Standby  
Operating  
(ICC2, Max)  
(ISB1, Max)  
K6X1008C2D-B  
K6X1008C2D-F  
K6X1008C2D-Q  
Commercial(0~70°C)  
Industrial(-40~85°C)  
Automotive(-40~125°C)  
10mA  
15mA  
25mA  
32-DIP-600, 32-SOP-525,  
32-SOP-525  
4.5~5.5V  
551)/70ns  
25mA  
32-TSOP1-0820F  
32-SOP-525, 32-TSOP1-0820F  
1. The parameters are tested with 50pF test load  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
VCC  
A15  
CS2  
WE  
A13  
A8  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
2
3
A11  
A9  
A8  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
OE  
4
A10  
CS1  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
Row  
addresses  
Row  
select  
5
Memory array  
A13  
WE  
CS2  
A15  
VCC  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6  
6
32-SOP  
32-DIP  
A9  
A5  
7
A11  
OE  
32-TSOP  
Type1-Forward  
A4  
8
9
A3  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CS1  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A1  
A6  
A5  
A4  
A1  
A2  
A3  
A0  
I/O1  
I/O8  
Data  
cont  
I/O Circuit  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
Column select  
Data  
cont  
Column Addresses  
Name  
Function  
CS1, CS2  
OE  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Write Enable Input  
Data Inputs/Outputs  
Address Inputs  
Power  
CS1  
Control  
logic  
CS2  
WE  
WE  
OE  
I/O1~I/O8  
A0~A16  
Vcc  
Vss  
Ground  
NC  
No Connection  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.  
2
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
PRODUCT LIST  
Commercial Products(0~70°C)  
Industrial Products(-40~85°C)  
Automotive Products(-40~125°C)  
Part Name  
Function  
Part Name  
Function  
Part Name  
Function  
K6X1008C2D-DB55  
K6X1008C2D-DB70  
K6X1008C2D-GB55  
K6X1008C2D-GB70  
K6X1008C2D-BB551)  
K6X1008C2D-BB701)  
K6X1008C2D-TB55  
K6X1008C2D-TB70  
K6X1008C2D-PB551)  
K6X1008C2D-PB701)  
32-DIP, 55ns, LL  
K6X1008C2D-DF55  
K6X1008C2D-DF70  
K6X1008C2D-GF55  
K6X1008C2D-GF70  
K6X1008C2D-BF551)  
K6X1008C2D-BF701)  
K6X1008C2D-TF55  
K6X1008C2D-TF70  
K6X1008C2D-PF551)  
K6X1008C2D-PF701)  
32-DIP, 55ns, LL  
K6X1008C2D-GQ55  
K6X1008C2D-GQ70  
K6X1008C2D-TQ55  
K6X1008C2D-TQ70  
32-SOP, 55ns, L  
32-DIP, 70ns, LL  
32-DIP, 70ns, LL  
32-SOP, 70ns, L  
32-SOP, 55ns, LL  
32-SOP, 70ns, LL  
32-SOP, 55ns, LL  
32-SOP, 70ns, LL  
32-TSOP-F, 55ns, LL  
32-TSOP-F, 70ns, LL  
32-TSOP-F, 55ns, LL  
32-TSOP-F, 70ns, LL  
32-SOP, 55ns, LL  
32-SOP, 70ns, LL  
32-SOP, 55ns, LL  
32-SOP, 70ns, LL  
32-TSOP-F, 55ns, LL  
32-TSOP-F, 70ns, LL  
32-TSOP-F, 55ns, LL  
32-TSOP-F, 70ns, LL  
32-TSOP-F, 55ns, L  
32-TSOP-F, 70ns, L  
1. Lead Free Product  
FUNCTIONAL DESCRIPTION  
CS1  
CS2  
OE  
WE  
I/O  
Mode  
Deselected  
Deselected  
Output Disabled  
Read  
Power  
Standby  
Standby  
Active  
X1)  
L
X1)  
X1)  
H
High-Z  
High-Z  
High-Z  
Dout  
X1)  
L
X1)  
H
X1)  
H
H
H
H
L
L
L
H
L
Active  
X1)  
Din  
Write  
Active  
1. X means don¢t care (Must be in high or low states)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1)  
Item  
Symbol  
Ratings  
-0.5 to VCC+0.5V(Max. 7.0V)  
-0.3 to 7.0  
Unit  
V
Remark  
Voltage on any pin relative to Vss  
Voltage on Vcc supply relative to Vss  
Power Dissipation  
VIN,VOUT  
VCC  
-
V
-
PD  
1.0  
W
-
Storage temperature  
TSTG  
-65 to 150  
°C  
°C  
°C  
°C  
-
0 to 70  
K6X1008C2D-B  
K6X1008C2D-F  
K6X1008C2D-Q  
Operating Temperature  
TA  
-40 to 85  
-40 to 125  
1. Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. Functional operation should be  
restricted to recommended operating condition. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
3
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)  
Item  
Symbol  
Vcc  
Min  
4.5  
0
Typ  
Max  
5.5  
0
Unit  
V
Supply voltage  
Ground  
5.0  
Vss  
0
-
V
Vcc+0.52)  
0.8  
Input high voltage  
Input low voltage  
Note:  
VIH  
2.2  
V
-0.53)  
VIL  
-
V
1. Commercial Product: TA=0 to 70°C, Otherwise specified  
Industrial Product: TA=-40 to 85°C, Otherwise specified  
Automotive Product: TA=-40 to 125°C, Otherwise specified  
2. Overshoot: Vcc+3.0V in case of pulse width£30ns.  
3. Undershoot: -3.0V in case of pulse width£30ns.  
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.  
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)  
Item  
Input capacitance  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN=0V  
Min  
Max  
8
Unit  
pF  
-
-
Input/Output capacitance  
CIO  
VIO=0V  
10  
pF  
1. Capacitance is sampled, not 100% tested  
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
ILI  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Input leakage current  
VIN=Vss to Vcc  
-1  
-1  
-
-
-
-
1
1
5
mA  
mA  
mA  
Output leakage current  
Operating power supply current  
ILO  
CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc  
IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIH or VIL, Read  
ICC  
Cycle time=1ms, 100%duty, IIO=0mA, CS1£0.2V, CS2³ Vcc-0.2V,  
VIN£0.2V or VIN³ VCC-0.2V  
ICC1  
ICC2  
-
-
-
-
7
mA  
Average operating current  
Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH,  
VIN=VIH or VIL  
25 mA  
Output low voltage  
Output high voltage  
Standby Current(TTL)  
VOL  
VOH  
ISB  
IOL=2.1mA  
-
-
-
-
-
-
-
0.4  
-
V
V
IOH=-1.0mA  
2.4  
CS1=VIH, CS2=VIL, Other inputs=VIH or VIL  
-
-
-
-
0.4 mA  
10 mA  
15 mA  
25 mA  
K6X1008C2D-B  
CS1³ Vcc-0.2V, CS2³ Vcc-0.2V or  
CS2£0.2V, Other inputs=0~Vcc  
Standby Current(CMOS)  
ISB1  
K6X1008C2D-F  
K6X1008C2D-Q  
4
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
AC OPERATING CONDITIONS  
TEST CONDITIONS( Test Load and Input/Output Reference)  
Input pulse level: 0.8 to 2.4V  
Input rising and falling time: 5ns  
1)  
CL  
Input and output reference voltage:1.5V  
Output load(see right): CL=100pF+1TTL  
CL=50pF+1TTL  
1. Including scope and jig capacitance  
AC CHARACTERISTICS  
(VCC=4.5~5.5V, Commercial product: TA=0 to 70°C, Industrial product: TA=-40 to 85°C, Automotive product: TA=-40~125°C)  
Speed Bins  
Parameter List  
Symbol  
Units  
55ns  
70ns  
Min  
55  
-
Max  
Min  
70  
-
Max  
Read Cycle Time  
tRC  
tAA  
-
55  
55  
25  
-
-
70  
70  
35  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
Chip Select to Output  
tCO  
tOE  
-
-
Output Enable to Valid Output  
Chip Select to Low-Z Output  
Output Enable to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Write Cycle Time  
-
-
Read  
tLZ  
10  
5
10  
5
tOLZ  
tHZ  
-
-
0
20  
20  
-
0
25  
25  
-
tOHZ  
tOH  
tWC  
tCW  
tAS  
0
0
10  
55  
45  
0
10  
70  
60  
0
-
-
Chip Select to End of Write  
Address Set-up Time  
-
-
-
-
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
tAW  
tWP  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
45  
40  
0
-
60  
50  
0
-
-
-
Write  
Write Recovery Time  
-
-
Write to Output High-Z  
0
20  
-
0
25  
-
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End Write to Output Low-Z  
20  
0
25  
0
-
-
tOW  
5
-
5
-
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
CS1³ Vcc-0.2V1)  
Vcc for data retention  
VDR  
2.0  
-
-
-
-
-
-
-
5.5  
10  
10  
20  
-
K6X1008C2D-B  
K6X1008C2D-F  
K6X1008C2D-Q  
mA  
mA  
mA  
Vcc=3.0V, CS1³ Vcc-0.2V1)  
Data retention current  
IDR  
-
-
Data retention set-up time  
Recovery time  
tSDR  
tRDR  
0
5
See data retention waveform  
ms  
-
1. CS1³ Vcc-0.2V, CS2³ VCC-0.2V, or CS2£0.2V  
5
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
TIMING DIAGRAMS  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(1) (Address Controlled, CS1=OE=VIL, CS2=WE=VIH)  
tRC  
Address  
tAA  
tOH  
Data Out  
Data Valid  
Previous Data Valid  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(2) (WE=VIH)  
tRC  
Address  
tOH  
tAA  
tCO1  
CS1  
tHZ(1,2)  
CS2  
tCO2  
tOE  
OE  
tOHZ  
tOLZ  
tLZ  
High-Z  
Data out  
Data Valid  
NOTES (READ CYCLE)  
1. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output voltage  
levels.  
2. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from device to device  
interconnection.  
6
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)  
tWC  
Address  
tWR(4)  
tCW(2)  
CS1  
tAW  
CS2  
tCW(2)  
tWP(1)  
WE  
tAS(3)  
tDW  
tDH  
Data Valid  
Data in  
tWHZ  
tOW  
Data Undefined  
Data out  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)  
tWC  
Address  
CS1  
tCW(2)  
tAS(3)  
tWR(4)  
tAW  
CS2  
tWP(1)  
WE  
tDW  
tDH  
Data in  
Data out  
Data Valid  
High-Z  
High-Z  
7
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(3) (CS2 Controlled)  
tWC  
Address  
CS1  
tAS(3)  
tCW(2)  
tWR(4)  
tAW  
CS2  
tCW(2)  
tWP(1)  
WE  
tDH  
tDW  
Data Valid  
Data in  
High-Z  
High-Z  
Data out  
NOTES (WRITE CYCLE)  
1. A write occurs during the overlap of a low CS1, a high CS2 and a low WE. A write begins at the latest transition among CS1 goes low,  
CS2 going high and WE going low: A write end at the earliest transition among CS1 going high, CS2 going low and WE going high,  
tWP is measured from the begining of write to the end of write.  
2. tCW is measured from the CS1 going low or CS2 going high to the end of write.  
3. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.  
4. tWR is measured from the end of write to the address change. tWR applied in case a write ends as CS1 or WE going high tWR2 applied  
in case a write ends as CS2 going to low.  
DATA RETENTION WAVE FORM  
CS1 controlled  
Data Retention Mode  
tSDR  
tRDR  
VCC  
4.5V  
2.2V  
VDR  
CS³ VCC - 0.2V  
CS1  
GND  
CS2 controlled  
Data Retention Mode  
VCC  
4.5V  
CS2  
tSDR  
tRDR  
VDR  
CS2£0.2V  
0.4V  
GND  
8
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
PACKAGE DIMENSIONS  
32 DUAL INLINE PACKAGE (600mil)  
Units: millimeters(inches)  
+0.10  
0.25  
-0.05  
0.010+0.004  
-0.002  
#32  
#17  
13.60±0.20  
0.535±0.008  
#1  
#16  
0~15°  
3.81±0.20  
0.150±0.008  
42.31  
1.666  
MAX  
5.08  
0.200  
MAX  
41.91±0.20  
1.650±0.008  
3.30±0.30  
0.130±0.012  
0.46±0.10  
0.018±0.004  
0.38  
0.015  
1.91  
0.075  
1.52±0.10  
0.060±0.004  
2.54  
0.100  
MIN  
(
)
32 PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)  
0~8°  
#32  
#17  
14.12±0.30  
0.556±0.012  
11.43±0.20  
0.450±0.008  
#1  
#16  
0.80±0.20  
+0.10  
-0.05  
0.20  
2.74±0.20  
0.031±0.008  
20.87  
MAX  
0.108±0.008  
+0.004  
0.822  
0.008  
-0.002  
3.00  
0.118  
MAX  
20.47±0.20  
0.806±0.008  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
+0.100  
-0.050  
0.41  
0.71  
0.028  
1.27  
0.050  
+0.004  
-0.002  
(
)
0.05  
0.002  
0.016  
MIN  
9
Revision 1.0  
September 2003  
K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
PACKAGE DIMENSIONS  
Units: millimeters(inches)  
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)  
+0.10  
-0.05  
20.00±0.20  
0.787±0.008  
0.20  
0.008+0.004  
-0.002  
#1  
#32  
0.25  
0.010  
(
)
8.40  
0.331  
MAX  
0.50  
0.0197  
#16  
#17  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
0.05  
0.002  
MIN  
1.20  
MAX  
0.047  
0.25  
0.010  
18.40±0.10  
0.724±0.004  
TYP  
+0.10  
0.15  
-0.05  
0.006+0.004  
-0.002  
0~8°  
0.50  
0.020  
0.45 ~0.75  
0.018 ~0.030  
(
)
10  
Revision 1.0  
September 2003  
配单直通车
K6X1008C2D-TF70产品参数
型号:K6X1008C2D-TF70
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.29
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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