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K6X1008T2D-BF85产品参数
型号:K6X1008T2D-BF85
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.02 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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