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  • K6X1008T2D-PB85图
  • 深圳市富科达科技有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • K6X1008T2D-PB85
  • 数量7400 
  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装TSOP32 
  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供货
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配单直通车
K6X1008T2D-PB85产品参数
型号:K6X1008T2D-PB85
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.02 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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