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产品型号K6X4008T1F-VB70的概述

芯片K6X4008T1F-VB70的概述 K6X4008T1F-VB70是一款高性能的动态随机存取存储器(DRAM),属于K6系列,主要用于各种电子产品中的内存组件。凭借其高速度和高容量,K6X4008T1F-VB70在数据密集型应用中表现出色。该芯片是由著名半导体制造商三星(Samsung Electronics)所生产,是市场上广泛应用的存储解决方案之一。 该芯片具备不错的电源管理功能,支持各种电压范围,并且在进行高频率读写时表现稳定。同时,其封装设计也使得芯片在实际应用中具有较高的适应性,可以被集成到多种类型的主板和电子设备中。 芯片K6X4008T1F-VB70的详细参数 K6X4008T1F-VB70芯片具有以下关键规格: - 存储容量:512K x 8位(或400万位),总容量为4Mbit。 - 工作电压:通常在2.7V到3.6V范围内运行,最适合在3.0V下运行。 - 引...

产品型号K6X4008T1F-VB70的Datasheet PDF文件预览

K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
Initial Draft  
July 29, 2002  
Preliminary  
0.1  
Revised  
October 14, 2002  
December 2, 2002  
March 26, 2003  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
- Added 55ns product( Vcc = 3.0V~3.6V)  
0.2  
Revised  
- Added Commercial product  
0.21  
Revised  
- Errata correction : corrected commercial product family name from  
K6X4008T1F-F to K6X4008T1F-B in PRODUCT FAMILY.  
1.0  
Finalized  
September 16, 2003  
Final  
- Changed ICC from 4mA to 2mA  
- Changed ICC1 from 4mA to 3mA  
- Changed ICC2 from 30mA to 25mA  
- Changed ISB1(Commercial) from 15mA to 10mA  
- Changed ISB1(industrial) from 20mA to 10mA  
- Changed ISB1(Automotive) from 30mA to 20mA  
- Changed IDR(Commercial) from 15mA to 10mA  
- Changed IDR(industrial) from 20mA to 10mA  
- Changed IDR(Automotive) from 30mA to 20mA  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
512K´ 8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Process Technology: Full CMOS  
· Organization: 512K´ 8  
The K6X4008T1F families are fabricated by SAMSUNG¢s  
advanced full CMOS process technology. The families support  
various operating temperature range and have various pack-  
age types for user flexibility of system design. The families also  
support low data retention voltage for battery back-up operation  
with low data retention current.  
· Power Supply Voltage: 2.7~3.6V  
· Low Data Retention Voltage: 2V(Min)  
· Three State Outputs  
· Package Type: 32-SOP-525, 32-TSOP2-400F/R  
32-TSOP1-0813.4F  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
Vcc  
Range  
Product Family Operating Temperature  
Speed  
PKG Type  
Standby Operating  
(ISB1, Max) (ICC2, Max)  
K6X4008T1F-B  
K6X4008T1F-F  
Commercial(0~70°C)  
Industrial(-40~85°C)  
10mA  
32-SOP-525, 32-TSOP1-0813.4F  
551)/702)/85ns  
702)/85ns  
32-TSOP2-400F/R  
10mA  
20mA  
2.7~3.6V  
25mA  
32-SOP-525, 32-TSOP1-0813.4F  
32-TSOP2-400F  
K6X4008T1F-Q Automotive(-40~125°C)  
1. This parameter is measured in the voltage range of 3.0V~3.6V with 30pF test load.  
2. This parameter is measured with 30pF test load.  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
1
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
1
2
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
2
3
3
4
4
5
5
A6  
6
6
A6  
A5  
7
A9  
A9  
7
A5  
32-TSOP2  
(Reverse)  
32-SOP  
32-TSOP2  
(Forward)  
A4  
8
A11  
OE  
A11  
OE  
8
A4  
Row  
Addresses  
Row  
select  
A3  
9
9
A3  
Memory array  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CS  
A10  
CS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A2  
A1  
A1  
A0  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O1  
I/O8  
Data  
cont  
I/O Circuit  
A11  
A9  
A8  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32  
OE  
A10  
CS  
Column select  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A13  
WE  
A17  
A15  
VCC  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
Data  
cont  
32-STSOP1  
(Forward)  
10  
Column Addresses  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A5  
A4  
A1  
A2  
A3  
CS  
Control  
logic  
WE  
OE  
Name Function  
Name Function  
A0~A18 Address Inputs  
Vcc  
Vss  
Power  
WE  
CS  
OE  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Ground  
I/O1~I/O8 Data Inputs/Outputs  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.  
2
Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
PRODUCT LIST  
Commercial Products(0~70°C)  
Industrial Products(-40~85°C)  
Automotive Products(-40~125°C)  
Part Name  
Function  
Part Name  
Function  
Part Name  
Function  
K6X4008T1F-GB551)  
K6X4008T1F-GB70  
K6X4008T1F-GB85  
K6X4008T1F-YB551)  
K6X4008T1F-YB70  
K6X4008T1F-YB85  
K6X4008T1F-VB551)  
K6X4008T1F-VB70  
K6X4008T1F-VB85  
K6X4008T1F-MB551)  
K6X4008T1F-MB70  
K6X4008T1F-MB85  
K6X4008T1F-GF551)  
K6X4008T1F-GF70  
K6X4008T1F-GF85  
K6X4008T1F-YF551)  
K6X4008T1F-YF70  
K6X4008T1F-YF85  
K6X4008T1F-VF551)  
K6X4008T1F-VF70  
K6X4008T1F-VF85  
K6X4008T1F-MF551)  
K6X4008T1F-MF70  
K6X4008T1F-MF85  
K6X4008T1F-GQ70 32-SOP, 70ns, L  
K6X4008T1F-GQ85 32-SOP, 85ns, L  
K6X4008T1F-YQ70 32-sTSOP1-F, 70ns, L  
K6X4008T1F-YQ85 32-sTSOP1-F, 85ns, L  
K6X4008T1F-VQ70 32-TSOP2-F, 70ns, L  
K6X4008T1F-VQ85 32-TSOP2-F, 85ns, L  
32-SOP, 55ns, LL  
32-SOP, 70ns, LL  
32-SOP, 85ns, LL  
32-SOP, 55ns, LL  
32-SOP, 70ns, LL  
32-SOP, 85ns, LL  
32-sTSOP1-F, 55ns, LL  
32-sTSOP1-F, 70ns, LL  
32-sTSOP1-F, 85ns, LL  
32-sTSOP1-F, 55ns, LL  
32-sTSOP1-F, 70ns, LL  
32-sTSOP1-F, 85ns, LL  
32-TSOP2-F, 55ns, LL  
32-TSOP2-F, 70ns, LL  
32-TSOP2-F, 85ns, LL  
32-TSOP2-F, 55ns, LL  
32-TSOP2-F, 70ns, LL  
32-TSOP2-F, 85ns, LL  
32-TSOP2-R, 55ns, LL  
32-TSOP2-R, 70ns, LL  
32-TSOP2-R, 85ns, LL  
32-TSOP2-R, 55ns, LL  
32-TSOP2-R, 70ns, LL  
32-TSOP2-R, 85ns, LL  
1. Operating voltage range is 3.0V~3.6V  
FUNCTIONAL DESCRIPTION  
CS  
H
L
OE  
WE  
I/O  
High-Z  
High-Z  
Dout  
Mode  
Power  
X1)  
H
X1)  
H
Deselected  
Output Disabled  
Read  
Standby  
Active  
Active  
Active  
L
L
H
L
X1)  
L
Din  
Write  
1. X means don¢t care (Must be in low or high state)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Remark  
Voltage on any pin relative to Vss  
Voltage on Vcc supply relative to Vss  
Power Dissipation  
VIN, VOUT  
VCC  
-0.2 to VCC+0.3(max. 3.9V)  
-0.2 to 3.9  
1.0  
-
V
-
PD  
W
-
Storage temperature  
TSTG  
-65 to 150  
0 to 70  
°C  
°C  
°C  
°C  
-
K6F4008T1F-B  
K6F4008T1F-F  
K6F4008T1F-Q  
Operating Temperature  
TA  
-40 to 85  
-40 to 125  
1. Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. Functional operation should be  
restricted to recommended operating condition. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
3
Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Supply voltage  
Ground  
Vcc  
2.7  
3.0/3.3  
3.6  
0
V
Vss  
VIH  
VIL  
0
0
-
V
V
V
Vcc+0.22)  
0.6  
Input high voltage  
Input low voltage  
Note:  
2.2  
-0.23)  
-
1. Commercial Product: TA=0 to 70°C, otherwise specified  
Industrial Product: TA=-40 to 85°C, otherwise specified  
Automotive Product: TA=-40 to 125°C, otherwise specified  
2. Overshoot: VCC+2.0V in case of pulse width £ 30ns  
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width £ 30ns  
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.  
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)  
Item  
Input capacitance  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN=0V  
Min  
Max  
8
Unit  
-
-
pF  
pF  
Input/Output capacitance  
CIO  
VIO=0V  
10  
1. Capacitance is sampled, not 100% tested.  
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
ILI  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Input leakage current  
Output leakage current  
Operating power supply current  
VIN=Vss to Vcc  
-1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
ILO  
CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL VIO=Vss to Vcc  
IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIL or VIH, Read  
-1  
ICC  
-
2
Cycle time=1ms, 100% duty, IIO=0mA CS£0.2V,VIN£0.2V or VIN³ Vcc-0.2V  
Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIH or VIL  
IOL=2.1mA  
ICC1  
ICC2  
VOL  
VOH  
ISB  
-
3
Average operating current  
-
25  
0.4  
-
Output low voltage  
Output high voltage  
Standby Current(TTL)  
-
IOH=-1.0mA  
2.4  
V
CS=VIH, Other inputs = VIL or VIH  
K6X4008T1F-B  
-
-
-
-
0.3  
10  
10  
20  
mA  
mA  
mA  
mA  
Standby Current (CMOS)  
ISB1  
CS³ Vcc-0.2V, Other inputs=0~Vcc  
K6X4008T1F-F  
K6X4008T1F-Q  
4
Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
AC OPERATING CONDITIONS  
TEST CONDITIONS(Test Load and Input/Output Reference)  
Input pulse level: 0.4 to 2.2V  
Input rising and falling time: 5ns  
1)  
CL  
Input and output reference voltage: 1.5V  
Output load(see right): CL=100pF+1TTL  
1)  
CL =30pF+1TTL  
1. Including scope and jig capacitance  
1. 55ns, 70ns product  
AC CHARACTERISTICS  
(VCC=2.7~3.6V, Commercial product: TA=0 to 70°C, Industrial product: TA=-40 to 85°C, Automotive product: TA=-40 to 125°C)  
Speed Bins  
55ns1)  
Parameter List  
Symbol  
Units  
70ns  
85ns  
Min  
55  
-
Max  
Min  
70  
-
Max  
Min  
85  
-
Max  
Read cycle time  
tRC  
tAA  
-
55  
55  
25  
-
-
70  
70  
35  
-
-
85  
85  
40  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
Chip select to output  
tCO  
tOE  
tLZ  
-
-
-
Output enable to valid output  
Chip select to low-Z output  
Output enable to low-Z output  
Chip disable to high-Z output  
Output disable to high-Z output  
Output hold from address change  
Write cycle time  
-
-
-
Read  
10  
5
10  
5
10  
5
tOLZ  
tHZ  
-
-
-
0
20  
20  
-
0
25  
25  
-
0
25  
25  
-
tOHZ  
tOH  
tWC  
tCW  
tAS  
0
0
0
10  
55  
45  
0
10  
70  
60  
0
10  
85  
70  
0
-
-
-
Chip select to end of write  
Address set-up time  
-
-
-
-
-
-
Address valid to end of write  
Write pulse width  
tAW  
tWP  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
tOW  
45  
40  
0
-
60  
55  
0
-
70  
55  
0
-
-
-
-
Write  
Write recovery time  
-
-
-
Write to output high-Z  
0
20  
-
0
25  
-
0
25  
-
Data to write time overlap  
Data hold from write time  
End write to output low-Z  
25  
0
30  
0
35  
0
-
-
-
5
-
5
-
5
-
1. Voltage range is 3.0V~3.6V for commercial and industrial product.  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Typ1)  
Item  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Max  
Unit  
V
Vcc for data retention  
VDR  
CS³ Vcc-0.2V  
2.0  
-
-
3.6  
10  
10  
20  
-
K6X4008T1F-B  
K6X4008T1F-F  
K6X4008T1F-Q  
mA  
mA  
mA  
Data retention current  
IDR  
Vcc=3.0V, CS³ Vcc-0.2V  
0.5  
-
-
Data retention set-up time  
Recovery time  
tSDR  
tRDR  
0
5
-
-
See data retention waveform  
ms  
-
1. Typical values are measured at TA = 25°C and not 100% tested.  
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Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
TIMING DIAGRAMS  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(1) (Address Controlled, CS=OE=VIL, WE=VIH)  
tRC  
Address  
tAA  
tOH  
Data Valid  
Data Out  
Previous Data Valid  
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE(2) (WE=VIH)  
tRC  
Address  
tOH  
tAA  
tCO1  
CS  
tHZ  
tOE  
OE  
tOHZ  
tOLZ  
tLZ  
High-Z  
Data out  
Data Valid  
NOTES (READ CYCLE)  
1. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output voltage  
levels.  
2. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from device to device  
interconnection.  
6
Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)  
tWC  
Address  
tCW(2)  
tWR(4)  
CS  
tAW  
tWP(1)  
WE  
tAS(3)  
tDW  
tDH  
Data Valid  
Data in  
tWHZ  
tOW  
Data Undefined  
Data out  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS Controlled)  
tWC  
Address  
tCW(2)  
tAS(3)  
tWR(4)  
CS  
tAW  
tWP(1)  
WE  
tDW  
tDH  
Data in  
Data Valid  
High-Z  
Data out  
High-Z  
NOTES (WRITE CYCLE)  
1. A write occurs during the overlap of a low CS and a low WE. A write begins at the latest transition among CS going Low and WE  
going low : A write end at the earliest transition among CS going high and WE going high, tWP is measured from the begining of write  
to the end of write.  
2. tCW is measured from the CS going low to the end of write.  
3. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.  
4. tWR is measured from the end of write to the address change. tWR is applied in case a write ends with CS or WE going high.  
DATA RETENTION WAVE FORM  
CS controlled  
Data Retention Mode  
tSDR  
tRDR  
VCC  
2.7V  
2.2V  
VDR  
CS³ VCC - 0.2V  
CS  
GND  
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Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
PACKAGE DIMENSIONS  
Units: millimeters(inches)  
32 PIN PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)  
0~8°  
#32  
#17  
11.43±0.20  
0.450±0.008  
14.12±0.30  
0.556±0.012  
0.80±0.20  
0.031±0.008  
+0.10  
-0.05  
#1  
#16  
0.20  
2.74±0.20  
0.108±0.008  
20.87  
0.822  
+0.004  
0.008  
MAX  
-0.002  
3.00  
0.118  
MAX  
20.47±0.20  
0.806±0.008  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
+0.100  
-0.050  
0.41  
1.27  
0.050  
0.71  
0.028  
+0.004  
-0.002  
0.05  
0.002  
(
)
0.016  
MIN  
32 PIN SMALLER THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0813.4F)  
+0.10  
-0.05  
0.20  
13.40±0.20  
0.528±0.008  
0.008+0.004  
-0.002  
#1  
#32  
0.25  
0.010  
(
)
8.40  
0.331  
MAX  
0.50  
0.0197  
#16  
#17  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
0.05  
0.002  
MIN  
1.20  
MAX  
0.047  
0.25  
0.010  
TYP  
11.80±0.10  
0.465±0.004  
+0.10  
-0.05  
0.15  
0.006+0.004  
-0.002  
0~8°  
0.50  
0.020  
0.45 ~0.75  
0.018 ~0.030  
(
)
8
Revision 1.0  
September 2003  
K6X4008T1F Family  
CMOS SRAM  
PACKAGE DIMENSIONS  
Units: millimeters(inches)  
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400F)  
0~8°  
0.25  
0.010  
(
)
#32  
#17  
0.45~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76±0.20  
0.463±0.008  
#1  
#16  
0.50  
0.020  
(
)
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
MAX  
0.006  
1.20  
0.047  
20.95±0.10  
0.825±0.004  
MAX  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
0.05  
0.002  
MIN  
1.27  
0.050  
0.95  
0.037  
0.40±0.10  
0.016±0.004  
(
)
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400R)  
0~8°  
0.25  
0.010  
(
)
#1  
#16  
0.45 ~0.75  
0.018 ~ 0.030  
11.76±0.20  
0.463±0.008  
#32  
#17  
0.50  
0.020  
(
)
+0.10  
-0.05  
+0.004  
-0.002  
0.15  
21.35  
0.841  
1.00±0.10  
0.039±0.004  
MAX  
0.006  
1.20  
0.047  
20.95±0.10  
0.825±0.004  
MAX  
0.10 MAX  
0.004 MAX  
1.27  
0.050  
0.05  
0.002  
0.40±0.10  
0.016±0.004  
0.95  
0.037  
MIN  
(
)
9
Revision 1.0  
September 2003  
配单直通车
K6X4008T1F-VB70产品参数
型号:K6X4008T1F-VB70
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.89
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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