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K7D803671B-HC33产品参数
型号:K7D803671B-HC33
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:BGA
包装说明:BGA, BGA153,9X17,50
针数:153
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87
Is Samacsys:N
最长访问时间:0.2 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):333 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B153
JESD-609代码:e0
长度:22 mm
内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:DDR SRAM
内存宽度:36
功能数量:1
端子数量:153
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX36
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装等效代码:BGA153,9X17,50
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.21 mm
最大待机电流:0.15 A
最小待机电流:2.37 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.75 mA
最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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