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| 型号: | K7M163635B-PC65 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | QFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 6.5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 100 |
| 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX36 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 2.5,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.13 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.3 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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