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| 型号: | K8D1716UTC-DC07 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | VFBGA, BGA48,6X8,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns |
| 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 部门数/规模： | 8,31 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 8K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000018 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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