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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号K9F5608UOC-DIBO的概述

K9F5608UOC-DIBO芯片概述 K9F5608UOC-DIBO是一款由三星电子(Samsung Electronics)生产的NAND闪存芯片,广泛用于移动设备、固态硬盘(SSD)、数码相机和其他嵌入式系统。该芯片具有高密度、大容量和低功耗的特点,适合需要快速读写速度的应用场合。由于其优良的性能和可靠性,K9F5608UOC-DIBO在全球范围内得到了广泛应用。 详细参数 K9F5608UOC-DIBO的基本参数包括其存储容量、工作电压、读写速度等,以下是详细参数: - 存储容量: 64兆位(Mbit) - 工作电压: 2.7V至3.6V - 读速度: 最大为20MB/s - 写速度: 最大为10MB/s - 封装类型: TSOP-48 - 温度范围: -40°C至85°C - 数据保持时间: 10年 - 擦写次数: 100,000次 这些参数表明,K9F5608UOC-DIB...
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K9F5616D0C-DCB0产品参数
型号:K9F5616D0C-DCB0
生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
最长访问时间:30 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
部门数/规模:2K
端子数量:63
字数:16777216 words
字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小:256 words
并行/串行:PARALLEL
电源:2.65 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
部门规模:8K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
标称供电电压 (Vsup):2.65 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
切换位:NO
类型:NAND TYPE
Base Number Matches:1
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