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| 型号: | K9W4G08U1M-YCB0 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 部门数/规模： | 2K |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO |
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