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| 型号: | K9WAG08U1M-IIB0 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LGA, LGA52(UNSPEC) |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 25 ns |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-XBGA-N52 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 17179869184 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 16K |
| 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2147483648 words |
| 字数代码： | 2000000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2GX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | LGA |
| 封装等效代码： | LGA52(UNSPEC) |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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