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  • KAL000015M-B3TT 半导体材料图
  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • KAL000015M-B3TT 半导体材料
  • 数量15500 
  • 厂家SAMSUNG/三星 
  • 封装SMD 
  • 批号24+ 
  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
  • QQ:2885393494QQ:2885393495
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配单直通车
KAL00B00BM-FGVV产品参数
型号:KAL00B00BM-FGVV
生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA127,12X13,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
JESD-30 代码:R-PBGA-B127
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
混合内存类型:FLASH+SDRAM
端子数量:127
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA127,12X13,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.015 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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