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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥9一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京顺科电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市金亿瑞科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 0755-21008751 QQ:3008961396

产品型号KBJ606G的概述

芯片KBJ606G的概述 KBJ606G是一款常用于电力电子和电气控制领域的整流器芯片。它专为高电流和高电压的应用设计,广泛应用于电源管理、家用电器、工业设备及自动化系统中。随着现代科技的发展,对电源的稳定性与可靠性要求越来越高,KBJ606G凭借其优越的性能和稳定性,成为了工业界的热门选择。 芯片KBJ606G的详细参数 KBJ606G芯片的典型参数包括: - 最大重复峰值反向电压(V_RRM):600V - 最大正向电流(I_F):6A - 正向电压降(V_F):1.1V(在I_F=6A条件下) - 反向漏电流(I_R):最大0.5mA(在V_RRM=600V条件下) - 工作温度范围:-55°C至+150°C - 封装形式:标准DO-214AC(表面贴装封装) 这种高电压和高电流的特性使得KBJ606G能够在多种高功率应用中表现优异,如逆变器、整流器以及DC-DC变换器等。 芯...

产品型号KBJ606G的Datasheet PDF文件预览

KBJ6005G - KBJ610G  
6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500V  
KBJ  
RMS  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
Max  
25.20  
15.30  
Low Reverse Leakage Current  
24.80  
14.70  
Surge Overload Rating to 170A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
P
4.00 Nominal  
N
A
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
17.20  
0.90  
7.30  
17.80  
1.10  
7.70  
H
·
UL Listed Under Recognized Component Index,  
File Number E94661  
C
B
D
G
H
J
L
_
3.10 Æ 3.40 Æ  
Mechanical Data  
3.30  
1.50  
9.30  
2.50  
3.40  
4.40  
0.60  
3.70  
1.90  
9.70  
2.90  
3.80  
4.80  
0.80  
M
K
J
K
L
·
·
Case: Molded Plastic  
E
R
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
M
N
P
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Approx. Weight: 4.6 grams  
G
R
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
KBJ  
KBJ  
KBJ  
KBJ  
KBJ  
6005G 601G 602G 604G 606G 608G 610G  
KBJ  
KBJ  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(rMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
6.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 110°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half-sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
170  
1.0  
A
Forward Voltage per element  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC = 25°C  
@ TC = 125°C  
5.0  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 3)  
I2t  
Cj  
120  
80  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per Element (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
RqJC  
Tj, TSTG  
1.5  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 75 x 75 x 1.6mm aluminum plate heat sink.  
3. Non-repetitive, for t > 1ms and < 8.3ms.  
DS21207 Rev. F-2  
1 of 2  
KBJ6005G-KBJ610G  
6
10  
1.0  
with heatsink  
5
4
TJ = 150°C  
TJ = 25°C  
3
without heatsink  
2
1
0.1  
Resistive or  
Inductive load  
Pulse width = 300µs  
0
0.01  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6 1.8  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Characteristics  
TC, CASE TEMPERATURE (°C)  
Fig. 1 Forward Current Derating Curve  
180  
160  
1000  
Single half-sine-wave  
(JEDEC method)  
f = 1MHz  
Tj = 25°C  
Tj = 150°C  
120  
80  
100  
40  
0
10  
1
100  
10  
0.1  
1.0  
10  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
Fig. 3 Max Non-Repetitive Surge Current  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
1000  
TJ = 150°C  
TJ = 125°C  
100  
10  
TJ = 100°C  
1.0  
0.1  
TJ = 25°C  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)  
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics  
DS21207 Rev. F-2  
2 of 2  
KBJ6005G-KBJ610G  
配单直通车
KBJ606G产品参数
型号:KBJ606G
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:170 A
元件数量:4
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:2.8 A
最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
  •  
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