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KBP308G-H产品参数
型号:KBP308G-H
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:FORMOSA MICROSEMI CO LTD
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.68
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:800 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
最大重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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