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    • KF3N80D图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • KF3N80D
    • 数量85000 
    • 厂家K 
    • 封装TO-252 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • KF3N80D图

    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • KF3N80D
    • 数量12000 
    • 厂家HAMOS/汉姆 
    • 封装TO-252 
    • 批号19+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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    产品型号KF3N80D的Datasheet PDF文件预览

    KF3N80D/I  
    SEMICONDUCTOR  
    N CHANNEL MOS FIELD  
    EFFECT TRANSISTOR  
    TECHNICAL DATA  
    General Description  
    KF3N80D  
    This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
    switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
    avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and  
    switching mode power supplies.  
    A
    C
    K
    DIM MILLIMETERS  
    L
    D
    B
    _
    A
    B
    C
    D
    E
    6.60 + 0.20  
    _
    6.10+0.20  
    _
    5.34 + 0.30  
    _
    0.70+0.20  
    _
    2.70 + 0.15  
    FEATURES  
    _
    2.30+0.10  
    F
    · VDSS= 800V, ID= 2.7A  
    0.96 MAX  
    0.90 MAX  
    G
    H
    J
    H
    · Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=4.2Ω @VGS = 10V  
    · Qg(typ) =12nC  
    J
    _
    1.80+0.20  
    E
    _
    2.30+0.10  
    K
    L
    G
    N
    _
    0.50 + 0.10  
    _
    F
    F
    M
    M
    N
    O
    0.50+0.10  
    0.70 MIN  
    Max 0.1  
    MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
    1
    2
    3
    CHARACTERISTIC  
    SYMBOL  
    RATING  
    UNIT  
    O
    VDSS  
    VGSS  
    Drain-Source Voltage  
    Gate-Source Voltage  
    @TC=25℃  
    800  
    ±30  
    2.7  
    V
    V
    DPAK (1)  
    ID  
    Drain Current  
    @TC=100℃  
    1.7  
    A
    IDP  
    Pulsed (Note1)  
    6*  
    KF3N80I  
    Single Pulsed Avalanche Energy  
    (Note 2)  
    A
    C
    H
    EAS  
    175  
    4.4  
    4.5  
    mJ  
    mJ  
    J
    DIM MILLIMETERS  
    _
    6.6 0.2  
    +
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    Repetitive Avalanche Energy  
    (Note 1)  
    EAR  
    _
    6.1 0.2  
    +
    _
    5.34 0.3  
    +
    Peak Diode Recovery dv/dt  
    (Note 3)  
    _
    0.7 0.2  
    +
    dv/dt  
    V/ns  
    _
    9.3 0.3  
    +
    _
    M
    2.3 0.2  
    +
    69.4  
    0.55  
    W
    W/℃  
    ℃
    Tc=25℃  
    Drain Power  
    Dissipation  
    _
    0.76 0.1  
    +
    _
    2.3 0.1  
    +
    PD  
    G
    H
    J
    P
    N
    Derate above 25℃  
    _
    0.5 0.1  
    +
    Tj  
    Maximum Junction Temperature  
    Storage Temperature Range  
    150  
    _
    K
    L
    M
    N
    P
    1.8 0.2  
    +
    _
    +
    0.5  
    0.1  
    G
    Tstg  
    -55∼ 150  
    ℃
    _
    1.0 0.1  
    +
    L
    F
    F
    0.96 MAX  
    _
    Thermal Characteristics  
    1.02 0.3  
    +
    RthJC  
    RthJA  
    Thermal Resistance, Junction-to-Case  
    1.8  
    ℃/W  
    ℃/W  
    1
    2
    3
    1. GATE  
    2. DRAIN  
    3. SOURCE  
    Thermal Resistance, Junction-to-  
    Ambient  
    110  
    * : Drain current limited by maximum junction temperature.  
    PIN CONNECTION  
    IPAK(1)  
    D
    G
    S
    2012. 8. 10  
    Revision No : 0  
    1/6  
    KF3N80D/I  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)  
    CHARACTERISTIC  
    SYMBOL  
    TEST CONDITION  
    MIN.  
    TYP.  
    MAX. UNIT  
    Static  
    BVDSS  
    Drain-Source Breakdown Voltage  
    Breakdown Voltage Temperature Coefficient  
    Drain Cut-off Current  
    Gate Threshold Voltage  
    Gate Leakage Current  
    Drain-Source ON Resistance  
    Dynamic  
    ID=250μA, VGS=0V  
    800  
    -
    0.8  
    -
    -
    -
    V
    V/℃  
    μA  
    V
    ΔBVDSS/ΔTj ID=250μA, Referenced to 25℃  
    -
    -
    IDSS  
    Vth  
    VDS=800V, VGS=0V  
    VDS=VGS, ID=250μA  
    VGS=±30V, VDS=0V  
    VGS=10V, ID=1.35A  
    10  
    2.5  
    -
    -
    4.5  
    ±100  
    4.2  
    IGSS  
    -
    nA  
    Ω
    RDS(ON)  
    -
    3.4  
    Qg  
    Qgs  
    Qgd  
    td(on)  
    tr  
    Total Gate Charge  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12  
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    VDS=480V, ID=3A  
    VGS=10V  
    Gate-Source Charge  
    nC  
    ns  
    pF  
    A
    (Note4,5)  
    (Note4,5)  
    Gate-Drain Charge  
    2
    Turn-on Delay time  
    25  
    27  
    60  
    30  
    520  
    60  
    9
    VDD=400V  
    ID=3A  
    Turn-on Rise time  
    td(off)  
    tf  
    Turn-off Delay time  
    RG=25Ω  
    Turn-off Fall time  
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    Input Capacitance  
    VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz  
    Output Capacitance  
    Reverse Transfer Capacitance  
    Source-Drain Diode Ratings  
    Continuous Source Current  
    Pulsed Source Current  
    Diode Forward Voltage  
    Reverse Recovery Time  
    Reverse Recovery Charge  
    IS  
    ISP  
    VSD  
    trr  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    12  
    1.4  
    -
    VGS<Vth  
    IS=2.7A, VGS=0V  
    -
    V
    ns  
    450  
    3.0  
    IS=3A, VGS=0V,  
    dIs/dt=100A/us  
    Qrr  
    -
    μC  
    Note 1) Repetivity rating : Pulse width limited by junction temperature.  
    Note 2) L =37mH, IS=3A, VDD=50V, RG=25Ω , Starting Tj=25℃.  
    Note 3) IS≤ 3A, dI/dt≤ 100A/㎲, VDD≤ BVDSS, Starting Tj=25℃.  
    Note 4) Pulse Test : Pulse width ≤ 300㎲, Duty Cycle ≤ 2%.  
    Note 5) Essentially independent of operating temperature.  
    Marking  
    1
    1
    KF3N80  
    001  
    KF3N80  
    001  
    I
    2
    2
    D
    1
    2
    PRODUCT NAME  
    LOT NO  
    2012. 8. 10  
    Revision No : 0  
    2/6  
    KF3N80D/I  
    Fig1. I - V  
    Fig2. I - V  
    D
    D
    GS  
    DS  
    101  
    100  
    10-1  
    10  
    V
    =20V  
    DS  
    V
    =10V  
    GS  
    V
    V
    =6V  
    =5V  
    GS  
    GS  
    25 C  
    1
    100 C  
    0.1  
    0.1  
    10  
    Drain - Source Voltage VDS (V)  
    2
    4
    6
    8
    10  
    1
    100  
    Gate - Source Voltage VGS (V)  
    Fig3. BV  
    - T  
    Fig4. R  
    - I  
    DSS  
    j
    DS(ON) D  
    1.2  
    1.1  
    1.0  
    0.9  
    0.8  
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    VGS = 0V  
    IDS = 250  
    V
    =6V  
    GS  
    V
    =10V  
    GS  
    100  
    -100  
    -50  
    0
    50  
    150  
    0
    1
    2
    3
    4
    Junction Temperature Tj (  
    )
    Drain Current ID (A)  
    C
    Fig6. R  
    - T  
    j
    DS(ON)  
    Fig5. I - V  
    S
    SD  
    101  
    100  
    10-1  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    V
    =10V  
    GS  
    = 1.35A  
    I
    DS  
    100 C  
    25 C  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1.0  
    1.2  
    (V)  
    1.4  
    -100  
    -50  
    0
    50  
    100  
    )
    150  
    Junction Temperature T (  
    Source - Drain Voltage VSD  
    C
    j
    2012. 8. 10  
    Revision No : 0  
    3/6  
    KF3N80D/I  
    Fig 7. C - V  
    DS  
    Fig8. Q - V  
    g
    GS  
    12  
    10  
    8
    1000  
    100  
    10  
    ID=3A  
    C
    C
    iss  
    V
    = 480V  
    DS  
    6
    oss  
    4
    C
    rss  
    2
    0
    1
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    12  
    14  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    Gate - Charge  
    Q
    (nC)  
    g
    Drain - Source Voltage VDS (V)  
    Fig9. Safe Operation Area  
    Fig10. I - T  
    D
    j
    3
    2.5  
    2
    10  
    1
    10µs  
    100µs  
    1ms  
    1.5  
    1
    10ms  
    DC  
    Operation in this  
    area is limited by RDS(ON)  
    0.1  
    0.5  
    0
    T = 25  
    C
    c
    C
    T = 150  
    j
    Single pulse  
    0.01  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    1
    10  
    100  
    1000  
    Junction Temperature  
    T ( C)  
    j
    Drain - Source Voltage V  
    (V)  
    DS  
    Fig11. Transient Thermal Response Curve  
    101  
    100  
    50  
    Duty=0.  
    0.20  
    0.10  
    10-1  
    10-2  
    Single Pulse  
    10-5  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    100  
    101  
    TIME (sec)  
    2012. 8. 10  
    Revision No : 0  
    4/6  
    KF3N80D/I  
    Fig12. Gate Charge  
    V
    GS  
    10 V  
    Fast  
    Recovery  
    Diode  
    I
    D
    0.8 V  
    DSS  
    I
    D
    1.0 mA  
    Q
    V
    Q
    Q
    DS  
    gd  
    gs  
    Q
    g
    V
    GS  
    Fig13. Single Pulsed Avalanche Energy  
    BV  
    1
    2
    DSS  
    2
    E
    AS  
    =
    LIAS  
    BV  
    - V  
    DD  
    DSS  
    BVDSS  
    L
    I
    AS  
    50V  
    25Ω  
    ID(t)  
    VDS  
    V
    GS  
    VDD  
    VDS(t)  
    10 V  
    Time  
    t
    p
    Fig14. Resistive Load Switching  
    VDS  
    90%  
    R
    L
    0.5 V  
    DSS  
    10%  
    VGS  
    td(off)  
    25 Ω  
    t
    td(on)  
    ton  
    r
    t
    f
    V
    DS  
    toff  
    V
    GS  
    10V  
    2012. 8. 10  
    Revision No : 0  
    5/6  
    KF3N80D/I  
    Fig15. Source - Drain Diode Reverse Recovery and dv /dt  
    Body Diode Forword Current  
    DUT  
    V
    DS  
    I
    SD  
    (DUT)  
    di/dt  
    I
    F
    I
    RM  
    I
    S
    Body Diode Reverse Current  
    Body Diode Recovery dv/dt  
    0.8  
    V
    DSS  
    V
    DS  
    (DUT)  
    driver  
    VSD  
    V
    DD  
    V
    GS  
    10V  
    Body Diode Forword Voltage drop  
    2012. 8. 10  
    Revision No : 0  
    6/6  
    配单直通车
    KF402BS产品参数
    型号:KF402BS
    生命周期：Active
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.57
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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