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| 型号: | KFM4GH6Q4M-DEB8 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 |
| 最长访问时间： | 76 ns |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 部门数/规模： | 1K |
| 端子数量： | 63 |
| 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C |
| 组织： | 256MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 256K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES |
| 类型： | MLC NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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