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产品型号KI2301BDS的Datasheet PDF文件预览

SMD Type  
Transistors  
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
KI2301BDS  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
2.9  
-0.1  
+0.1  
0.4  
-0.1  
3
Features  
1
2
RoH Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant.  
+0.1  
0.95  
-0.1  
+0.05  
0.1  
-0.01  
+0.1  
1.9  
-0.1  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
5 sec  
Steady State  
-20  
Unit  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
8
Continuous Drain Current (TJ=150 ) *2 TA=25  
------------------------------------------------TA=70  
-2.4  
-1.9  
-2.2  
-1.8  
ID  
A
-10  
Pulsed Drain Current *1  
IDM  
IS  
A
A
Continuous Source Current (diode conduction) *2  
-0.72  
-0.6  
0.9  
0.7  
Power Dissipation *2  
TA=25  
PD  
W
0.57  
0.45  
-------------------------------------------------TA=70  
150  
Jumction Temperature  
Tj  
-55 to +150  
Storage Temperature  
Tstg  
* 1. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
* 2. Surface Mounted on FR4 Board, t 5 sec.  
Thermal Resistance Ratings Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
145  
Unit  
/W  
Maximum Junction-to-Ambient *1  
Maximum Junction-to-Ambient *2  
120  
140  
175  
* 1. Surface Mounted on FR4 Board, t  
* 2. Surface Mounted on FR4 Board.  
5 sec.  
1
www.kexin.com.cn  
SMD Type  
Transistors  
KI2301BDS  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
-20  
Typ  
Max  
Unit  
V
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
V(BR)DSS VGS = 0 V, ID = -250 ìA  
VGS(th) VDS = VGS, ID = -250 ìA  
-0.45  
-0.95  
100  
-1  
IGSS  
nA  
A
VDS = 0 V, VGS =  
8 V  
VDS = -20 V, VGS = 0 V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
On-State Drain Current  
IDSS  
-10  
VDS = -20 V, VGS = 0 V, TJ = 55  
-6  
-3  
VDS  
VDS  
-5 V, VGS = -4.5 V  
-5 V, VGS = -2.5 V  
ID(on)  
A
VGS = -4.5 V, ID = -2.8 A  
VGS = -2.5 V, ID = -2.0 A  
VDS = -5 V, ID = -2.8 A  
IS = -0.75 A, VGS = 0 V  
0.08  
0.11  
6.5  
-0.8  
4.5  
0.7  
1.1  
375  
95  
0.1  
Drain-Source On-State Resistance *  
rDS(on)  
0.15  
Forward Transconductance *  
Diode Forward Voltage *  
Total Gate Charge  
gfs  
VSD  
Qg  
S
V
-1.2  
10  
VDS = -6V ,VGS = -4.5 V , ID= -2.8 A  
nC  
pF  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Qgs  
Qgd  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Input Capacitance  
VDS = -6V ,VGS = 0 , f = 1 MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
65  
20  
30  
60  
45  
30  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
40  
VDD = -6V , RL = 6Ù ,  
ns  
ID = -1A , VGEN =- 4.5V , RG = 6Ù  
td(off)  
tf  
30  
20  
* Pulse test: PW  
300 ìs duty cycle  
2%.  
Marking  
Marking  
L1  
2
www.kexin.com.cn  
配单直通车
KI23308300J0G产品参数
型号:KI23308300J0G
生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8536.69.40.40
风险等级:5.65
制造商序列号:KI
端子和端子排类型:BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK
Base Number Matches:1
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