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  • KLM4G2FE3B-B001图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • KLM4G2FE3B-B001
  • 数量12500 
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配单直通车
KLM8G1GEME-B041产品参数
型号:KLM8G1GEME-B041
生命周期:Active
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8
JESD-30 代码:R-PBGA-B153
内存密度:68719476736 bit
内存集成电路类型:FLASH CARD
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:153
字数:8589934592 words
字数代码:8000000000
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:8GX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
编程电压:1.8 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM
类型:NAND TYPE
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