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KM416C1204CJ-L6产品参数
型号:KM416C1204CJ-L6
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ42,.44
针数:42
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.41
访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J42
JESD-609代码:e0
长度:27.31 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:42
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ42,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024
座面最大高度:3.76 mm
自我刷新:YES
最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
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