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产品型号KSE13003H2ASTU的概述

KSE13003H2ASTU芯片概述 KSE13003H2ASTU是一款广泛应用于电子电路中的NPN型功率晶体管,主要用于高频开关和信号放大应用。作为一种极具性能优势的晶体管,KSE13003H2ASTU的设计旨在满足严苛的电力和信号处理需求。对于高频应用和功率控制,KSE13003H2ASTU凭借其优越的电气特性和高度的集成度,使其在消费电子、汽车电子以及工业设备中的应用变得尤为重要。 详细参数 KSE13003H2ASTU的技术参数为电路设计提供了重要的参考,包括晶体管的电压、电流、功率及频率范围等。以下是KSE13003H2ASTU的主要电气参数: 1. 类型: NPN晶体管 2. 最大集电极-基极电压 (V_CBO): 40V 3. 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 30V 4. 最大发射极-基极电压 (V_EBO): 5V 5. 集电极电流 (I_C): 3A 6. 直...

产品型号KSE13003H2ASTU的Datasheet PDF文件预览

March 2008  
KSE13003  
NPN Silicon Transistor  
High Voltage Switch Mode Applications  
High Voltage Capability  
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-126  
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
Absolute Maximum Ratings*  
T
= 25°C unless otherwise noted (notes_1)  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
700  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
400  
9
V
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
1.5  
A
ICP  
3
A
IB  
0.75  
20  
A
PC  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-65 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES_1:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
h
Classification  
FE  
Classification  
H1  
H2  
H3  
hFE  
*
9 ~ 16  
14~ 21  
19 ~ 26  
* Test on V = 2V, I = 0.5A.  
CE  
C
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSE13003 Rev. 1.0.0  
www.fairchildsemi.com  
1
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
BVCEO  
IEBO  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max Units  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
IC = 5mA, IB = 0  
400  
V
VEB = 9V, IC = 0  
10  
40  
mA  
hFE  
*DC Current Gain  
VCE = 2V, IC = 0.5A  
VCE = 2V, IC =1A  
8
5
VCE(sat)  
VBE(sat)  
*Collector Emitter Saturation Voltage  
*Base Emitter Saturation Voltage  
IC = 0.5A, IB = 0.1A  
IC = 1A, IB = 0.25A  
IC = 1.5A, IB = 0.5A  
0.5  
1
3
V
V
V
IC = 0.5A, IB = 0.1A  
IC = 1A, IB = 0.25A  
1
1.2  
V
V
Cob  
fT  
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
VCB = 10V , f = 0.1MHz  
VCE = 10V, IC = 0.1A  
21  
pF  
MHz  
ms  
4
tON  
tSTG  
tF  
VCC =125V, IC = 1A  
IB1 = 0.2A, IB2 = - 0.2A  
RL = 125W  
1.1  
4.0  
0.7  
Storage Time  
ms  
Fall Time  
ms  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle£10%  
Package Marking and Ordering Information  
Device Item (notes_2)  
KSE13003H1ASTU  
KSE13003H2ASTU  
KSE13003H3ASTU  
Notes_2 :  
Device Marking  
1 E13003  
Package  
TO-126  
Packing Method  
Remarks  
TUBE  
TUBE  
TUBE  
2 E13003  
TO-126  
3 E13003  
TO-126  
1) The Affix “-H1/-H2/-H3” means the hFE classification.  
2) The Sufix “-STU” means the TO126 short lead package and the Tube packing method, which can be on fairchildsemi website at http://www.fairchildsemi.com  
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KSE13003 Rev. 1.0.0  
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2
Typical Performance Characteristics  
100  
10  
1
2.0  
VCE = 2V  
IB = 500mA  
1.6  
IB = 450mA  
IB = 350mA  
IB = 400mA  
IB = 300mA  
IB = 250mA  
IB = 200mA  
IB = 150mA  
IB = 100mA  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
IB = 50mA  
IB = 0mA  
0.1  
0.01  
0.1  
1
10  
0
1
2
3
4
5
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 1. Static Characteristic  
Figure 2. DC current Gain  
10  
10  
IC = 4 IB  
tSTG  
VBE(sat)  
1
1
tF  
0.1  
0.1  
VCE(sat)  
0.01  
0.01  
0.01  
0.1  
0.1  
1
10  
1
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Figure 4. Switching Time  
30  
25  
20  
15  
10  
5
10  
ICMAX. (pulse)  
IC MAX. (DC)  
1
0.1  
0
0.01  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
1
10  
100  
1000  
TC[oC], CASE TEMPERATURE  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
Figure 5. Safe Operating Area  
Figure 6. Power Derating  
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3
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4
配单直通车
KSE13003H2ASTU产品参数
型号:KSE13003H2ASTU
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SIP
包装说明:TO-126, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.38
最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):14
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1
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