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  • 深圳市西昂特科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • ◆★█【专注原装正品现货】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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产品型号KSE13009的概述

芯片KSE13009的概述 KSE13009是一种广泛应用于电子电路中的功率晶体管。这款器件通常用于高电压和高电流的应用场合,具备出色的放大能力和开关特性。作为一种NPN型晶体管,KSE13009能够有效处理大电流,通常可用于音频放大电路、电源开关电路和线性稳压电源等。 该晶体管在高频应用中的表现也较为稳定,能够支持高达150V的工作电压,并具备高达8A的集电极电流,这使得KSE13009在各种关键电路中获得了广泛的应用。由于其优越的性能,该器件在消费电子、家电和工业控制等领域表现突出。 KSE13009的详细参数 KSE13009的主要参数如下: - 类型: NPN功率晶体管 - 操作电压 (V_CEO): 150V - 集电极电流 (I_C): 8A - 最大耗散功率 (P_D): 40W - 增益 (h_FE): 20至100,取决于工作条件 - 开关时间 (t_sw): 100...

产品型号KSE13009的Datasheet PDF文件预览

KSE13008/13009  
High Voltage Switch Mode Application  
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transisor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSE13008  
: KSE13009  
600  
700  
V
V
CEO  
: KSE13008  
: KSE13009  
300  
400  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
9
V
A
EBO  
I
I
I
12  
24  
C
A
CP  
B
6
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
100  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
: KSE13008  
CEO  
I
= 10mA, I = 0  
300  
400  
V
V
C
B
: KSE13009  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 9V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 5V, I = 5A  
8
6
40  
30  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 8A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 5A, I = 1A  
1
1.5  
3
V
V
V
CE  
BE  
C
C
C
B
= 8A, I = 1.6A  
B
= 12A, I = 3A  
B
(sat)  
I
I
= 5A, I = 1A  
1.2  
1.6  
V
V
C
C
B
= 8A, I = 1.6A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V, f = 0.1MHz  
180  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.5A  
4
T
C
= 125V, I = 8A  
1.1  
3
ON  
STG  
F
C
I
= - I = 1.6A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
R = 15,6Ω  
L
Fall Time  
0.7  
µs  
* Pulse test: PW300µs, Duty cycle2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
Typical Characteristics  
10  
100  
IC = 3 IB  
VCE = 5V  
VBE(sat)  
1
10  
0.1  
VCE(sat)  
0.01  
0.1  
1
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 1. DC current Gain  
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
10000  
1000  
100  
1000  
VCC=125V  
IC=5IB  
100  
10  
1
tR  
tD, VBE(off)=5V  
10  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
1000  
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 3. Collector Output Capacitance  
Figure 4. Turn On Time  
100  
10  
10000  
VCC=125V  
IC=5IB  
tSTG  
1
1000  
0.1  
0.01  
tF  
KSE13008  
KSE13009  
100  
0.1  
1
10  
100  
1000  
1
10  
100  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 5. Turn Off Time  
Figure 6. Safe Operating Area  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
Typical Characteristics (Continued)  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TC[oC], CASE TEMPERATURE  
Figure 7. DC current Gain  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
Package Demensions  
TO-220  
4.50 ±0.20  
9.90 ±0.20  
(8.70)  
+0.10  
1.30  
–0.05  
ø3.60 ±0.10  
(45  
°
)
1.27 ±0.10  
1.52 ±0.10  
0.80 ±0.10  
+0.10  
–0.05  
0.50  
2.40 ±0.20  
2.54TYP  
2.54TYP  
[2.54 ±0.20  
]
[2.54 ±0.20]  
10.00 ±0.20  
Dimensions in Millimeters  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not  
intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
SuperSOT™-3  
ACEx™  
Bottomless™  
CoolFET™  
CROSSVOLT™  
DenseTrench™  
DOME™  
EcoSPARK™  
E2CMOS™  
EnSigna™  
FAST®  
FASTr™  
FRFET™  
GlobalOptoisolator™  
GTO™  
OPTOPLANAR™  
PACMAN™  
SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
SyncFET™  
TinyLogic™  
UHC™  
POP™  
PowerTrench®  
QFET™  
HiSeC™  
QS™  
UltraFET®  
VCX™  
ISOPLANAR™  
LittleFET™  
MicroFET™  
MICROWIRE™  
OPTOLOGIC™  
QT Optoelectronics™  
Quiet Series™  
SLIENT SWITCHER®  
SMART START™  
Stealth™  
FACT™  
FACT Quiet Series™  
DISCLAIMER  
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY  
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY  
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;  
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.  
LIFE SUPPORT POLICY  
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT  
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  
CORPORATION.  
As used herein:  
1. Life support devices or systems are devices or systems  
which, (a) are intended for surgical implant into the body,  
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  
when properly used in accordance with instructions for use  
provided in the labeling, can be reasonably expected to  
result in significant injury to the user.  
2. A critical component is any component of a life support  
device or system whose failure to perform can be  
reasonably expected to cause the failure of the life support  
device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
Datasheet Identification  
Product Status  
Definition  
Advance Information  
Formative or In  
Design  
This datasheet contains the design specifications for  
product development. Specifications may change in  
any manner without notice.  
Preliminary  
First Production  
This datasheet contains preliminary data, and  
supplementary data will be published at a later date.  
Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
changes at any time without notice in order to improve  
design.  
No Identification Needed  
Obsolete  
Full Production  
This datasheet contains final specifications. Fairchild  
Semiconductor reserves the right to make changes at  
any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
This datasheet contains specifications on a product  
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. H2  
配单直通车
KSE13009产品参数
型号:KSE13009
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.24
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):6
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):100 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1
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