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KSE803S产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126-3

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:散装

零件状态:停產

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):2.8V @ 40mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):100µA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):750 @ 2A,3V

功率 - 最大值:40W

频率 - 跃迁:-

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3

供应商器件封装:TO-126-3

标准包装:2,000

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