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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 厂家Fairchild(飞兆/仙童) 
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  • ▉原装正品▉低价力挺实单全系列可订!
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 正品原装 支持最低价
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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市汇满鑫电子科技有限公司

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  • 封装回收公司呆料 回收此型号 寻找代理渠道PDTA143EK 
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  • 上海振基实业有限公司

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  • 厂家Fairchild 
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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产品型号KST2222AMTF的概述

KST2222AMTF 芯片概述 KST2222AMTF 是一款常见的 NPN 型双极性晶体管(BJT),广泛用于低功耗和小信号放大场景。它通常在低电压和中等电流条件下运行,适合用于音频放大器、信号开关以及其他数字和模拟电路中。KST2222AMTF 的设计使其能够有效地处理频率范围相对较高的电信号,成为许多电子应用中的重要组件。 芯片详细参数 KST2222AMTF 的主要参数具有如下特征: - 极性:NPN - 最大集电极电流 (Ic):800 mA - 最大集电极-发射极电压 (Vce):40 V - 最大发射极-基极电压 (Veb):5 V - 增益带宽积:250 MHz - 直流电流增益 (hFE):100 至 300 - 封装类型:SOT-23 - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C 在实际使用中,KST2222AMTF 由于其良好的增益特性和高频性能,被广泛应用于...

产品型号KST2222AMTF的Datasheet PDF文件预览

May 2006  
KST2222A  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
tm  
General Purpose Transistor  
Marking  
3
1P  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
75  
40  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6
V
Collector Current  
600  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature Range  
350  
TSTG  
-55 ~ 150  
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
75  
Max.  
Units  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 10µA, IE = 0  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 10mA, IB = 0  
40  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain *  
IE = 10µA, IC = 0  
6
V
VCB = 60V, IE = 0  
0.01  
300  
µA  
hFE  
VCE = 10V, IC = 0.1mA  
VCE = 10V, IC = 1mA  
VCE = 10V, IC = 10mA  
VCE = 10V, IC = 150mA  
VCE = 10V, IC = 500mA  
35  
50  
75  
100  
40  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage * IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.3  
1.0  
V
V
Base-Emitter Saturation Voltage *  
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.6  
1.2  
2.0  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Noise Figure  
IC = 20mA, VCE = 20V, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
300  
MHz  
pF  
Cob  
NF  
8
4
IC = 100µA, VCE = 10V  
RS = 1K, f = 1MHz  
dB  
tON  
Turn On Time  
Turn Off Time  
VCC = 30V, IC = 150mA  
VBE = 0.5V, IB1 = 15mA  
35  
ns  
ns  
tOFF  
VCC = 30V, IC = 150mA,  
IB1 = IB2 = 15mA  
285  
* Pulse Test: Pulse Width300µs, Duty Cycle2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
KST2222A Rev. B  
1
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Typical Performance Characteristics  
Figure 1. DC Current Gain  
Figure2.Collector-EmitterSaturationVoltage  
0.4  
V ce=5V  
B=10  
250  
125C  
0.3  
200  
75C  
25C  
150  
0.2  
125C  
100  
50  
0.1  
75C  
25C  
1
10  
100  
1
10  
100  
C ollector C urrent, [m A ]  
Collector Current, [mA]  
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage  
Figure 4. Collector - Base Leakage Current  
1.0  
100  
B=10  
VCB = 60V  
0.9  
0.8  
0.7  
10  
0.6  
25C  
0.5  
1
75C  
0.4  
125C  
0.3  
0.1  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1
10  
100  
Temperature, ['C]  
Collector Current, [mA]  
Figure 5. Output Capacitance  
Figure 6. Power Dissipation vs  
Ambient Temperature  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
IE = 0  
f = 1MHz  
10  
1
0.1  
1
10  
100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Temperature, [ OC]  
VCB [V], Collector-Base Voltage  
2
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KST2222A Rev. B  
Mechanical Dimensions  
SOT-23  
0.40 0.03  
0.03~0.10  
0.38 REF  
+0.05  
–0.023  
0.40 0.03  
0.12  
0.96~1.14  
2.90 0.10  
0.95 0.03 0.95 0.03  
1.90 0.03  
0.508REF  
Dimensions in Millimeters  
3
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MicroFET™  
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Rev. I19  
4
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KST2222A Rev. B  
配单直通车
KST2222AMTF产品参数
型号:KST2222AMTF
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
制造商包装代码:318BM
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.49
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHz
最大关闭时间(toff):285 ns
最大开启时间(吨):35 ns
Base Number Matches:1
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