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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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KT8557J产品参数
型号:KT8557J
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP16,.3
针数:16
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.83
压伸定律:A-LAW
滤波器:NO
最大增益公差:0.15 dB
JESD-30 代码:R-GDIP-T16
长度:19.495 mm
线性编码:NOT AVAILABLE
负电源额定电压:-5 V
功能数量:1
端子数量:16
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-25 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
电源:+-5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
子类别:Codecs
最大压摆率:0.009 mA
标称供电电压:5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
电信集成电路类型:PCM CODEC
温度等级:OTHER
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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