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SEMICONDUCTOR

KTC8050A

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT APPLICATION.

B

C

FEATURE

· Complementary to KTC8550A.

DIM MILLIMETERS

N

A

B

C

D

E

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

E

K

D

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

G

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

35

UNIT

V

1.00

F

1.27

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

G

H

J

0.85

0.45

_

14.00 +0.50

30

V

H

K

L

0.55 MAX

2.30

F

5

V

M

0.45 MAX

1.00

Collector Current

800

mA

mW

℃

N

3

1

2

I_E

Emitter Current

-800

400

1. EMITTER

2. BASE

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

3. COLLECTOR

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

TO-92 (F)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=15V, I_E=0

-

35

30

100

60

-

50

-

nA

V

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

I_C=0.5mA, I_E=0

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-

I_C=1mA, I_B=0

-

V

V_CE=1V, I_C=50mA

V_CE=1V, I_C=350mA

I_C=500mA, I_B=20mA

V_CE=1V, I_C=500mA

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CB=10V, f=1MHz, I_E=0

300

-

DC Current Gain

-

V_CE(sat)

V_BE

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

-

0.5

1.2

-

V

-

f_T

Transition Frequency

-

120

13

MHz

pF

C_ob

Collector Output Capacitance

-

Note : h_FE(1) Classification C : 100∼ 200, D : 150∼ 300

2010. 1. 28

Revision No : 2

1/2

KTC8050A

I _C- V_CE

h_FE- I _C

1k

COMMON EMITTER

=1V

COMMON EMITTER

Ta=25 C

V

500

300

CE

8

800

600

400

200

7

Ta=100 C

Ta=25 C

6

5

4

3

100

Ta=-25 C

50

30

2

I

=1mA

B

0

10

0

1

2

3

4

5

6

1

3

10

30

100

300

1k 2k

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V

(V)

COLLECTOR CURRENT I (mA)

C

CE

V_CE(sat)- I_C

I _C- V_BE

1

1k

COMMON EMITTER

=1V

500

300

V

I

/I =25

B

CE

C

0.5

0.3

100

50

30

25 C

-25 C

0.1

Ta=-25 C

0.05

0.03

10

Ta=25 C

Ta=100 C

5

3

0.01

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1

3

10

30

100

300

1k

COLLECTOR CURRENT I (mA)

C

BASE-EMITTER VOLTAGE V

(V)

BE

Pc - Ta

700

600

500

400

300

200

100

0

25

50

75

100

125

150

175

AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)

2010.0 1. 28

Revision No : 2

2/2

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型号:	KTC8050A
生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1
端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

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