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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家LATTICE-莱迪思 
  • 封装328-BGA 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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LAE4001R产品参数
型号:LAE4001R
生命周期:Active
IHS 制造商:ASI SEMICONDUCTOR INC
包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.78
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.08 A
集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE
最高频带:S BAND
JESD-30 代码:O-CRDB-F4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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