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| 型号: | LAMXO1200E-3FTN256E |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA256,16X16,40 |
| 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 2.33 |
| 最大时钟频率： | 25 MHz |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 17 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 专用输入次数： | |
| I/O 线路数量： | 211 |
| 输入次数： | 211 |
| 逻辑单元数量： | 1200 |
| 输出次数： | 211 |
| 端子数量： | 256 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 0 DEDICATED INPUTS, 211 I/O |
| 输出函数： | MACROCELL |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA256,16X16,40 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.2 V |
| 可编程逻辑类型： | FLASH PLD |
| 传播延迟： | 5.1 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 1.55 mm |
| 子类别： | Field Programmable Gate Arrays |
| 最大供电电压： | 1.26 V |
| 最小供电电压： | 1.14 V |
| 标称供电电压： | 1.2 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 17 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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