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LBC857BLT1G产品参数
型号:LBC857BLT1G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:LESHAN RADIO CO LTD
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.78
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):220
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
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