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LE28HC256-120产品参数
型号:LE28HC256-120
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SEEQ TECHNOLOGY INC
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.31
最长访问时间:120 ns
其他特性:AUTOMATIC WRITE;PAGE WRITE;BULK ERASE
命令用户界面:NO
数据轮询:YES
耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
页面大小:64 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00035 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1
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