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| 型号: | LE82GM965 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | BGA, |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.61 |
| 地址总线宽度： | 15 |
| 边界扫描： | NO |
| 总线兼容性： | ATA, I2C, ISA, LPC, PCI, SIO, SMBUS, SPI, USB |
| 外部数据总线宽度： | 64 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B1299 |
| 长度： | 35 mm |
| 低功率模式： | YES |
| 内存组织： | 256M X 64 |
| 区块数量： | 8 |
| 端子数量： | 1299 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 座面最大高度： | 1.73 mm |
| 最大供电电压： | 1.1025 V |
| 最小供电电压： | 0.9975 V |
| 标称供电电压： | 1.05 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 35 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches： | 1 |
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