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LET20030C产品参数
型号:LET20030C
Brand Name:STMicroelectronics
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.69
Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDFM-F2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):65 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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