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| 型号: | LF253N |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | STMICROELECTRONICS |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.61 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.2 µA |
| 标称共模抑制比： | 70 dB |
| 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.004 µA |
| 最大输入失调电压： | 13000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO |
| 负供电电压上限： | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最小摆率： | 12 V/us |
| 标称压摆率： | 16 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 3.2 mA |
| 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 4000 kHz |
| 最小电压增益： | 25000 |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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