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LF353DR详细参数

生命周期

Obsolete

IHS 制造商

ON SEMICONDUCTOR

零件包装代码

SOIC

包装说明

PLASTIC, SO-8

针数

8

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8542.33.00.01

风险等级

5.68

Is Samacsys

N

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

架构

VOLTAGE-FEEDBACK

最大平均偏置电流 (IIB)

0.008 µA

25C 时的最大偏置电流 (IIB)

0.0002 µA

标称共模抑制比

100 dB

频率补偿

YES

最大输入失调电流 (IIO)

0.004 µA

最大输入失调电压

13000 µV

JESD-30 代码

R-PDSO-G8

JESD-609代码

e0

长度

4.9 mm

低-偏置

YES

低-失调

NO

负供电电压上限

-18 V

标称负供电电压 (Vsup)

-15 V

功能数量

2

端子数量

8

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOP

封装等效代码

SOP8,.25

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

包装方法

TAPE AND REEL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

电源

+-15 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.75 mm

标称压摆率

13 V/us

子类别

Operational Amplifier

供电电压上限

18 V

标称供电电压 (Vsup)

15 V

表面贴装

YES

技术

JFET

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

标称均一增益带宽

4000 kHz

宽度

3.9 mm

Base Number Matches

1