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TI LF353DR
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JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
JFET输入双通道运算放大器
运算放大器输入元件
TI LF353DR
中文翻译
JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
JFET输入双通道运算放大器
运算放大器输入元件
TI LF353DR
中文翻译
JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
JFET输入双通道运算放大器
运算放大器输入元件
MOTOROLA LF353DR2 Operational Amplifier, 2 Func, 13000uV Offset-Max, JFET, PDSO8, PLASTIC, SO-8
放大器光电二极管
ONSEMI LF353DR2 DUAL OP-AMP, 13000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8
放大器光电二极管
TI LF353DRE4
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JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
JFET输入双通道运算放大器
运算放大器输入元件
TI LF353DRG4
中文翻译
JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
JFET输入双通道运算放大器
运算放大器放大器电路光电二极管输入元件
更多LF353DR资料...

LF353DR详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
SOIC
包装说明
PLASTIC, SO-8
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.33.00.01
风险等级
5.68
Is Samacsys
N
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.008 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.0002 µA
标称共模抑制比
100 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电流 (IIO)
0.004 µA
最大输入失调电压
13000 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e0
长度
4.9 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
负供电电压上限
-18 V
标称负供电电压 (Vsup)
-15 V
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
包装方法
TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
+-15 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
标称压摆率
13 V/us
子类别
Operational Amplifier
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
15 V
表面贴装
YES
技术
JFET
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
4000 kHz
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
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