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| 型号: | LM158AJRQMLV |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.01 |
| Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.06 µA |
| 标称共模抑制比： | 70 dB |
| 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 4000 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 低-偏置： | NO |
| 低-失调： | NO |
| 微功率： | NO |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 功率： | NO |
| 电源： | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 4 mA |
| 供电电压上限： | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 总剂量： | 100k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽： | 1000 kHz |
| 最小电压增益： | 25000 |
| 宽带： | NO |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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