lm258dr 的Datasheet文档资料查询

LM258DR详细参数

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

生命周期

Active

零件包装代码

SOIC

包装说明

SOIC-8

针数

8

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8542.33.00.01

风险等级

0.64

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

架构

VOLTAGE-FEEDBACK

最大平均偏置电流 (IIB)

0.3 µA

25C 时的最大偏置电流 (IIB)

0.15 µA

最小共模抑制比

70 dB

标称共模抑制比

80 dB

频率补偿

YES

最大输入失调电流 (IIO)

0.03 µA

最大输入失调电压

5000 µV

JESD-30 代码

R-PDSO-G8

JESD-609代码

e3

长度

4.9 mm

低-偏置

NO

低-失调

NO

微功率

NO

湿度敏感等级

1

功能数量

2

端子数量

8

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-25 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOP

封装等效代码

SOP8,.25

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

包装方法

TR

峰值回流温度（摄氏度）

260

功率

NO

电源

+-1.5/+-15/3/30 V

可编程功率

NO

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.75 mm

标称压摆率

0.3 V/us

子类别

Operational Amplifier

最大压摆率

1.2 mA

供电电压上限

32 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

BIPOLAR

温度等级

OTHER

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

标称均一增益带宽

700 kHz

最小电压增益

25000

宽带

NO

宽度

3.9 mm

Base Number Matches

1