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LM258DR2G产品参数
型号:LM258DR2G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOIC-8
针数:8
制造商包装代码:751-07
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.8
Samacsys Confidence:2
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/10578.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=10578
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=10578
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=10578
Samacsys PartID:10578
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/LM258DR2G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/LM258DR2G.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:SOIC-8 NB CASE 751-07 ISSUE AK
Samacsys Released Date:2017-05-04 08:31:21
Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.15 µA
最小共模抑制比:70 dB
标称共模抑制比:85 dB
频率补偿:NO
最大输入失调电流 (IIO):0.03 µA
最大输入失调电压:5000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm
低-偏置:NO
低-失调:NO
微功率:NO
湿度敏感等级:1
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TR
峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO
电源:+-1.5/+-15/3/30 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:3 mA
供电电压上限:32 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:BIPOLAR
温度等级:OTHER
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
最小电压增益:25000
宽带:NO
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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