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  • 封装8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 
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LM358BIDR产品参数
型号:LM358BIDR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:SOIC-8
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.18
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.035 µA
最小共模抑制比:75 dB
标称共模抑制比:94 dB
最大输入失调电压:3000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:4.905 mm
湿度敏感等级:2
功能数量:2
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:0.5 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:0.92 mA
供电电压上限:40 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:1200 kHz
宽度:3.895 mm
Base Number Matches:1
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