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ONSEMI LM358DR2G
中文翻译
Single Supply Dual Operational Amplifiers
单电源双运算放大器
运算放大器放大器电路光电二极管

LM358DR2G详细参数

Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
IHS 制造商
ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.25
针数
8
制造商包装代码
751-07
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.33.00.01
Factory Lead Time
1 week
风险等级
0.32
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.5 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.25 µA
最小共模抑制比
65 dB
标称共模抑制比
70 dB
频率补偿
NO
最大输入失调电流 (IIO)
0.05 µA
最大输入失调电压
7000 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
长度
4.9 mm
低-偏置
NO
低-失调
NO
微功率
NO
湿度敏感等级
1
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
包装方法
TR
峰值回流温度(摄氏度)
260
功率
NO
电源
+-1.5/+-15/3/30 V
可编程功率
NO
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
子类别
Operational Amplifier
最大压摆率
3 mA
供电电压上限
32 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
BIPOLAR
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
最小电压增益
15000
宽带
NO
宽度
3.9 mm
Base Number Matches
1
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