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| 型号: | LM358NB |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | RAYTHEON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 9000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 低-失调： | NO |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Operational Amplifiers |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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