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LM5112MY产品参数
型号:LM5112MY
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:MSOP-8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.28
高边驱动器:NO
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:S-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:3 mm
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:7 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HTSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.19
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:12 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.09 mm
子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:14 V
最小供电电压:3.5 V
标称供电电压:12 V
表面贴装:YES
技术:BICMOS
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
断开时间:0.04 µs
接通时间:0.04 µs
宽度:3 mm
Base Number Matches:1
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