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LMBZ5226BLT1G产品参数
型号:LMBZ5226BLT1G
是否Rohs认证:符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:LESHAN RADIO CO LTD
包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.25
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:28 Ω
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.225 W
标称参考电压:3.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.15%
工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1
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