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  • LMC6484AINNOPB图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • LMC6484AINNOPB
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LMC6484AMJ/883产品参数
型号:LMC6484AMJ/883
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP14,.3
针数:14
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:5.25
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.000025 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.000025 µA
最小共模抑制比:65 dB
标称共模抑制比:82 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):0.000025 µA
最大输入失调电压:750 µV
JESD-30 代码:R-GDIP-T14
JESD-609代码:e0
长度:19.54 mm
低-偏置:YES
低-失调:NO
微功率:NO
湿度敏感等级:1
功能数量:4
端子数量:14
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
功率:NO
电源:3/15 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:5.08 mm
最小摆率:0.6 V/us
标称压摆率:1.3 V/us
子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:0.7 mA
供电电压上限:16 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:1500 kHz
最小电压增益:13000
宽带:NO
宽度:7.62 mm
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