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  • LPV358MNOPB图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • LPV358MNOPB
  • 数量302 
  • 厂家NATIONAL 
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LPV358MWC产品参数
型号:LPV358MWC
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:WAFER
包装说明:DIE, WAFER
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.5
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.05 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.05 µA
标称共模抑制比:71 dB
频率补偿:YES
最大输入失调电压:7000 µV
JESD-30 代码:X-XUUC-N
低-偏置:NO
低-失调:NO
微功率:YES
负供电电压上限:
标称负供电电压 (Vsup):
功能数量:2
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE
封装等效代码:WAFER
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP
功率:NO
电源:2.7/5 V
可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified
标称压摆率:0.1 V/us
子类别:Operational Amplifiers
最大压摆率:0.024 mA
供电电压上限:5.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:BICMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
标称均一增益带宽:152 kHz
最小电压增益:10000
宽带:NO
Base Number Matches:1
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