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产品型号LRB521S-40T1G的Datasheet PDF文件预览

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
SCHOTTKYBARRIERDIODE  
zApplictions  
LRB521S  
-
40T1G  
Low current rectification and high speed switching  
zFeatures  
1
Extremelysmall surface mounting type. (SOD523)  
IO=200mA guaranteed despite the size.  
Low VF.  
2
zConstruction  
SOD-523  
Silicon epitaxial planar  
z
We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
Ordering Information  
2
1
Anode  
Cathode  
Device  
Marking  
S
Shipping  
LRB521S-40T1G  
3000/Tape&Reel  
S
LRB521S-40T3G  
10000/Tape&Reel  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
DC reverse voltage  
VR  
IO  
40  
200  
Mean rectifying current  
Peak forward surge current*  
Junction temperature  
Storage temperature  
mA  
A
IFSM  
4
T
j
125  
°C  
°C  
T
stg  
-55~+125  
*60Hz for 1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Forward voltage  
VF  
0.30  
0.45  
0.52  
20  
V
V
V
IF=10mA  
IF=100mA  
IF=200mA  
VR=10V  
0.16  
0.31  
0.37  
-
Forward voltage  
VF  
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
µΑ  
µΑ  
Reverse current  
IR  
-
90  
VR=40V  
ESD break down voltage  
ESD  
8
-
K V  
C=100pFR, =1.5K  
forward and reverse:1 time  
Rev.O 1/4  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
LRB521S-40T1G  
zElectrical characteristic curves  
100  
100000  
10000  
1000  
100  
1000  
Ta=150℃  
f=1MHz  
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=75℃  
100  
Ta=125℃  
Ta=150℃  
10  
Ta=25℃  
Ta=-25℃  
10  
10  
1
Ta=-25℃  
Ta=25℃  
0.1  
0.01  
1
1
0
10  
20  
30  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
0
10  
20  
30  
REVERSE VOLTAGE:VR(V)  
VR-IR CHARACTERISTICS  
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)  
VF-IF CHARACTERISTICS  
REVERSE VOLTAGE:VR(V)  
VR-Ct CHARACTERISTICS  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
520  
510  
500  
490  
480  
470  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
Ta=25℃  
VR=40V  
n=30pcs  
Ta=25℃  
Ta=25℃  
IF=200mA  
n=30pcs  
f=1MHz  
VR=0V  
n=10pcs  
AVE:27.2pF  
AVE:495.2mV  
VF DISPERSION MAP  
Ifsm  
AVE:6.86uA  
IR DISPERSION MAP  
Ifsm  
Ct DISPERSION MAP  
20  
15  
10  
5
10  
10  
1cyc  
Ifsm  
t
8.3ms 8.3ms  
1cyc  
8.3ms  
5
5
AVE:5.60A  
0
0
0
1
10  
100  
1
10  
100  
TIME:t(ms)  
IFSM-t CHARACTERISTICS  
NUMBER OF CYCLES  
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS  
IFSM DISPERSION MAP  
1000  
100  
10  
0.3  
0.25  
0.2  
5
4
3
2
1
0
Rth(j-a)  
D=1/2  
Rth(j-c)  
DC  
Sin(θ=180)  
Mounted on epoxy board  
D=1/2  
0.15  
0.1  
IM=1mA  
IF=20mA  
DC  
Sin(θ=180)  
time  
300us  
1ms  
0.05  
0
0.001  
0.1  
10  
1000  
0
10  
20  
30  
40  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
TIME:(s)  
Rth-t CHARACTERISTICS  
REVERSE VOLTAGE:VR(V)  
VR-PR CHARACTERISTICS  
AVERAGE RECTIFIED  
FORWARD CURRENT:Io(A)  
Io-Pf CHARACTERISTICS  
Rev.O 2/4  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
LRB521S-40T1G  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
Io  
0A  
0V  
Io  
0A  
0V  
VR  
VR  
t
t
D=t/T  
VR=20V  
Tj=150℃  
DC  
D=t/T  
VR=20V  
Tj=150℃  
DC  
T
T
D=1/2  
Sin(θ=180)  
Sin(θ=180)  
D=1/2  
25  
0
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)  
Derating Curve゙(Io-Ta)  
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)  
Derating Curve゙(Io-Tc)  
Rev.O 3/4  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
LRB521S-40T1G  
SOD-523  
NOTES:  
X−  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.  
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH.  
MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF  
BASE MATERIAL.  
D
Y−  
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PRO-  
TRUSIONS, OR GATE BURRS.  
E
MILLIMETERS  
1
2
2X b  
DIM  
A
b
c
D
E
HE  
L
MIN  
0.50  
0.25  
0.07  
1.10  
0.70  
1.50  
NOM  
0.60  
0.30  
0.14  
1.20  
0.80  
1.60  
0.30 REF  
0.20  
MAX  
0.70  
0.35  
0.20  
1.30  
0.90  
1.70  
M
0.08  
X Y  
TOP VIEW  
L2  
0.15  
0.25  
A
c
HE  
SIDE VIEW  
RECOMMENDED  
SOLDERING FOOTPRINT*  
1.80  
2X  
0.48  
2X  
0.40  
PACKAGE  
OUTLINE  
DIMENSION: MILLIMETERS  
Rev.O 4/4  
配单直通车
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