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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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LSIC1MO120E0080产品参数和技术文档

LSI53C1030T-A2产品图

LSIC1MO120E0080产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
27.60000
$27.60
10
25.53000
$255.30
25
23.46000
$586.50
100
21.80400
$2,180.40

LSIC1MO120E0080产品参数

品牌:Littelfuse Inc.

描述:MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3

详细描述:通孔 N 沟道 1200V 39A(Tc) 179W(Tc) TO-247-3

制造商:Littelfuse Inc.

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss):1200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):39A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 20A,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):95nC @ 20V

Vgs(最大值):+22V,-6V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1825pF @ 800V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):179W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:450

其它名称:F10335

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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