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M29DW323DT70ZE6产品参数
型号:M29DW323DT70ZE6
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:BGA
包装说明:6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
针数:48
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.15
最长访问时间:70 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度:8
启动块:TOP
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0
长度:8 mm
内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:8,63
端子数量:48
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:6 mm
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