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MBR50060CT产品参数

品牌：

GeneSiC Semiconductor

描述：

DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER

详细描述：

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 500A (DC) Chassis Mount Twin Tower

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

包装

散装

零件状态

在售

二极管配置

1 对共阴极

二极管类型

肖特基

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）

600V

电流 - 平均整流（Io）（每二极管）

500A（DC）

不同 If 时的电压 - 正向（Vf

800mV @ 250A

速度

快速恢复 = 200mA（Io）

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流

1mA @ 20V

工作温度 - 结

-55°C ~ 150°C

安装类型

底座安装

封装/外壳

双塔架

供应商器件封装

双塔架

标准包装

25

其它名称

MBR50060CTGN